Xây dựng phương án tính toán và chế thử máy phát siêu cao tần trong thiết bị đo cao vô tuyến cho tên lửa hành trình đối hải

uật và công nghệ chế tạo, đòi hỏi phải có sự tham gia của nhiều lĩnh vực khoa học khác nhau, phải đưa ra được cơ sở khoa học trong cả quá trình. Để giải quyết bài toán này, nhóm tác giả đề xuất một phương án tính toán, chế thử máy phát siêu cao tần theo nguyên lý điều tần tuyến tính ứng dụng trên tên lửa hành trình. Kết quả kiểm chứng đánh giá bằng máy phân tích phổ đã minh chứng tính khả thi của phương án đề xuất, nhằm làm chủ về công nghệ chế tạo đối với máy phát siêu cao tần trên tên lửa hành trình đối hải. Từ khóa: Máy phát siêu cao; Đo cao vô tuyến; Điều tần tuyến tính. 1. ĐẶT VẤN ĐỀ Hiện nay, trên đầu tự dẫn của nhiều loại tên lửa hành trình hiện đại được trang bị hệ thống dẫn đường quán tính, nhưng do sai số tích lũy nên gây sai lệch lớn trong điều khiển, đặc biệt là độ cao. Thực tế, trên khoang của các loại tên lửa này thường trang bị thiết bị đo cao vô tuyến để kết hợp với kênh cao hệ thống dẫn đường quán tính tạo ra độ dư về cấu trúc và độ dư thông tin, đảm bảo việc nhận thông tin đo cao đồng nhất từ các hệ đo cao có nguyên tắc vật lý khác nhau. Đặc biệt, để tránh sự phát hiện của hỏa lực phòng không của đối phương thì các Tên lửa hành trình đối hải thường bay ở độ cao thấp từ (5  15)m. Để kiểm soát dải độ cao thấp này thì thiết bị đo cao vô tuyến theo nguyên lý điều tần tuyến tính là phù hợp nhất [2, 3]. Thiết bị đo cao vô tuyến đã được nghiên cứu chế tạo từ rất sớm ở Nga (1947), Mỹ (1938), do tính bảo mật nên kết quả đưa ra không được tường minh. Một số nghiên cứu trong nước [1, 2] khai thác và chế thử một số cụm khối ở dạng tích hợp riêng máy phát siêu cao thì chưa có công trình nào đề cập. Để giải quyết bài toán này, nhóm tác giả đề xuất một phương án tính toán, thiết kế máy phát siêu cao tần theo nguyên lý điều tần tuyến tính ứng dụng trên tên lửa hành trình. Kết quả nghiên cứu được kiểm chứng đánh giá bằng máy phân tích phổ đã minh chứng tính đúng đắn của phương pháp tính và làm chủ công nghệ đối với máy phát siêu cao tần tuyến tính trên thiết bị đo cao vô tuyến cho tên lửa hành trình đối hải. 2. NGUYÊN LÝ ĐO CAO VÀ MÁY PHÁT SIÊU CAO TẦN THEO LUẬT ĐIỀU TẦN TUYẾN TÍNH 2.1. Nguyên lý đo cao theo luật điều tần tuyến tính 2.1.1. Luật điều tần tuyến tính Tín hiệu điều tần là tín hiệu có tần số thay đổi tuyến tính trong một khoảng thời gian, có dạng [6, 7]: Nghiên cứu khoa học công nghệ Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Viện Điện tử, 9 - 2020 89 A(t) = Amsin[(t) + o] (1) Khi luật điều chế là luật điều tần răng cưa đối xứng, tần số của máy phát sẽ thay đổi theo các biểu thức sau:             0 0 1/ 2 1 1/ 2 1 dc m M M M dc m M M M K U t nT khi nT t n T ω t K U n T t khi n T t n T                     (2) trong đó: Am- Biên độ của tín hiệu; (t) = 2f(t) = 0 + Kđc.U(t) - Tần số góc của dao động; o - Pha ban đầu của dao động; Kđc – Hệ số truyền của bộ điều chế; U(t) – Tín hiệu điều chế có biên độ Um; TM - chu kỳ của điện áp điều chế;  = Kdc.Um- Tốc độ thay đổi tần số trung tâm của tín hiệu. 2.1.2. Nguyên lý đo cao theo luật điều tần tuyến tính Phương pháp đo cao theo nguyên lý điều tần tuyến tính dựa trên cơ sở xác định độ thay đổi tần số phát của tín hiệu điều tần truyền đến mục tiêu và tín hiệu phản xạ mà máy thu thu được. Giả sử tín hiệu từ máy phát có tần số fp(t) được điều chế theo luật tuyến tính (hình 1) và tín hiệu sau khi phản xạ từ mục tiêu mà máy thu thu được có tần số là fc(t), tín hiệu này bị giữ chậm một thời gian tz. Tần số trung tâm f0 của máy phát được chọn sao cho khi truyền qua khí quyển trái đất không bị các thành phần của khí quyển phản xạ hoặc bị suy giảm đáng kể, thông thường chọn f0 trong khoảng 10 28.103 MHz - vùng cửa sổ vô tuyến [2], [6]. Hình 1. Sơ đồ biểu diễn sự biến thiên tần số tín hiệu phát và tín hiệu thu. Khi trộn sóng fp(t) và fc(t) theo nguyên lý trộn tần chúng ta thu được tín hiệu điều hòa với tần số phách f, và phổ tín hiệu chỉ có một vạch tại f. Độ thay đổi tần số phách được xác định theo công thức (với: 2p M M df f dt T   - Độ biến thiên của tần số fp): / . 2 p p z z df df dt f t tg t H dt c      nên ta có: 4. M M c.f H f F   (3) trong đó: H- Độ cao từ máy phát đến bề mặt địa hình; c = 3*108 m/s - Tốc độ ánh Kỹ thuật điện tử P. Đ. Thỏa, , C. V. Hiệp, “Xây dựng phương án tính toán tên lửa hành trình đối hải.” 90 sáng; tz = 2H/c - Thời gian giữ chậm do lan truyền sóng điện từ từ máy phát - mục tiêu - phản xạ về máy thu; 1/M MF T - Tần số điều chế. 2.2. Máy phát siêu cao theo nguyên lý điều tần tuyến tính 2.2.1. Các phương pháp điều chế tần số trong máy phát Để nhận được tín hiệu điều tần thường dùng điện áp điều chế làm thay đổi trở kháng của đèn điện tử, hoặc bóng bán dẫn mắc song song với khung dao động chính của máy phát tần số trung tâm [8]. a) Điều chế tần số dùng đèn điện tử là phần tử phản kháng Khi khung cộng hưởng ghép với đèn phản kháng Лp, lựa chọn Zp’ và Zp” khi đưa tín hiệu điều chế Udc lên lưới chúng ta sẽ nhận được phần tử phản kháng mang đặc tính điện dung hoặc điện cảm (hình 2), trong khung cộng hưởng: Zp = Zp ’ + Zp ” [7]. Hình 2. Sơ đồ mạch điện có phần tử phản kháng mang đặc tính điện dung hoặc điện cảm. Để đảm bảo đèn Лp trở thành đèn phản kháng cần có độ lệch pha giữa Ugp và Uap là p =  90 (khi: p = 90 - mang tính điện cảm; p = - 90 đặc tính phần tử phản kháng mang tính điện dung). b) Điều chế tần số dùng phần tử phản kháng là bóng bán dẫn trường FET Hình 3. Sơ đồ mạch điều chế có phần tử cảm kháng là bóng bán dẫn. Đối với các bộ phát điều chế dùng phần tử phản kháng bằng bóng bán dẫn, thông thuờng nhận được độ sâu điều chế: 0(20 25)%.ff   ở tần số (300400)MHz; dùng khung dao động bằng dây đồng trục hoặc dây đôi có chiều dài 1/2 [8]. c) Điều tần sử dụng hiệu ứng thay đổi điện dung của lớp tiếp giáp p-n (Varicap) Phương pháp này chủ yếu dùng cho sóng mét và đề-xi-mét, sử dụng varicap có ưu điểm là điều chỉnh nhanh, thuận tiện, kích thước nhỏ song nhược điểm cơ bản là độ ổn định thấp do sự phụ thuộc không tuyến tính giữa điện dung của lớp tiếp R1 R2 R4 C1 C2 C5 C6R3 U®c Lk c u c+ - C4C3 Ck C7 - + C rp Lp CpR6 u Nghiên cứu khoa học công nghệ Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Viện Điện tử, 9 - 2020 91 giáp p-n và điện áp ngược đặt lên, mặt khác còn phụ thuộc rất lớn vào nhiệt độ, nên độ ổn định hệ số nhiệt của tần số không cao. Việc ghép varicap vào khung dao động được thực hiện như hình 4. Hình 4. Sơ đồ mạch ghép Varicap vào khung dao động. Ngoài varicap, trong thực tế ở dải tần số cao còn sử dụng varactor (tụ gốm sécnhét) có dải tần làm việc rộng, từ sóng hồng ngoại đến siêu cao, nhược điểm là độ tổn hao phụ thuộc nhiều vào tần số. d) Điều chế tần số sử dụng diode Gunn Diode Gunn sử dụng hiệu ứng Gunn là hiệu ứng cho độ dẫn vi phân âm giữa hai phiến bán dẫn khi đặt lên đó một điện trường có cường độ xác định [7]. Người ta thường sử dụng các vật liệu: GaAs, GaSb, InP, CdTe,... Tần số làm việc của các diode Gunn có thể đạt hàng trăm GHz ở chế độ xung, và hàng chục GHz ở chế độ liên tục. Sơ đồ nối diode Gunn vào khung cộng hưởng bằng đường dây phẳng được mô tả như trên hình 5. Hình 5. Sơ đồ nối diode Gunn vào khung cộng hưởng bằng đường dây phẳng. 2.2.2. Lựa chọn kết cấu và nguyên lý điều tần cho máy phát siêu cao tần Hình 6. Sơ đồ mạch dao động khi dùng mạch lưới chung. Hình 7. Khung cộng hưởng kiểu cáp đồng trục. U®c C1 C2 Ck + L CC L1L1 Kỹ thuật điện tử P. Đ. Thỏa, , C. V. Hiệp, “Xây dựng phương án tính toán tên lửa hành trình đối hải.” 92 Như đã trình bày, có nhiều phương pháp điều chế tần số trong máy phát, để làm rõ nguyên lý điều tần tuyến tính, bài báo đi vào phân tích một kết cấu máy phát siêu cao tần sử dụng đèn Klystron có sơ đồ cấu trúc tương đương sơ đồ mạch dao động 3 điểm (hình 6) - coi phần tổn hao rất nhỏ và Z1, Z2, Z3 là mô đun trở kháng [6], [8]; Trong đó: Cag, Cgk, Cak là các điện dung giữa các cực của đèn; " aL là cảm kháng phần ghép khung với anot; "gL là điện cảm phần khung ghép với lưới; ' ' ' a g kL ,L ,L là điện cảm ký sinh giữa các cực và của các chân của đèn khi tần số siêu cao. Điều kiện dao động của mạch là: Z1, Z2 cùng dấu; Z3 khác dấu với Z1, Z2 và 2 3Z Z . Có nghĩa là " " ";k a gL L L , tần số điều chỉnh được bằng thay đổi " aL hoặc " gL . Khi dùng mạch chung lưới (Lg = " ' 0g gL L  , La = " ' a aL L , Lk = " ' k kL L ). Dạng khung cộng hưởng như mô tả trên hình 7. Điều kiện cộng hưởng cho dây đồng trục tại 0 02 f   : 0 0 0 1 2 . 2 W tg l n C              (4) Điện trở sóng của khung cộng hưởng đồng trục. 1 1 276lg a i r L W r C   (5) trong đó: C - Điện dung ra của đèn điện tử; 1 1,L C - Điện dung, điện kháng phân bố; ra – Bán kính ngoài của xilanh trong; ri – Bán kính trong của xilanh ngoài; 0 0/c f  , c=3.10 8 m/s - Tốc độ ánh sáng; n – Số trị số cực trị của trường theo trục z( hay chỉ số dao động); l – Kích thước dài của khung cộng hưởng. * Nguyên lý điều chế tần số trong máy phát siêu cao tần Nguyên lý điều tần ở đây sử dụng tụ điều chỉnh có bản cực kiểu màng phía cuối đường dây, phần bản cực rung được nối với lưới. Sơ đồ cấu trúc trình bày trên hình 8. Hình 8. Cấu trúc đường dây đồng trục có điều chỉnh tần số cộng hưởng kiểu bản cực rung và sơ đồ tương đương; trong đó: 1. Dây đồng trục anốt – lưới; 2. Cách điện một chiều – khi tần số cao nối lưới với đất qua màng rung; 3. Màng rung đàn hồi; 4. Cuộn dây bộ điều chế; 5. Dây ra của anốt . Điều kiện cộng hưởng của khung là: 8 0 ; 3.10 / ; 0 0 0 0 0 ag agdc ω l ω l ω lπ ρω C sin = cos = sin - c c 2 c c m s C C C          Nghiên cứu khoa học công nghệ Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Viện Điện tử, 9 - 2020 93 Tính qua 0: 0 0 0 0 c 1 λ = = c.4 ρC + = 4.c.ρ.C +4.l f c       Tương ứng 0λ = λ+Δλ với  = 4.l;  = 4.C0.c Độ sâu điều chế theo : agdcΔλ= 4ρ.c.C hay f = K.t = agdc 1 4ρC (6) Khi khoảng cách giữa bản cực nối với anốt và bản cực nối với lưới đủ nhỏ so với chiều dài của cung mặt cầu có thể tính trị số điện dung của tụ theo công thức: agdc εS C = (pF) 3,6πd (7) trong đó: S- Diện tích phủ của 2 bản cực; - Hằng số điện môi của môi chất; d- Khoảng cách giữa hai bản cực (cm). Thay (7) vào (6) ta có: εS4ρKt d = 3,6π (8) Để có f thay đổi tuyến tính theo thời gian, phải có hệ tự động đảm bảo thay đổi khe hở d tuyến tính theo thời gian. Khi đó, luật điều chế tuyến tính:           M M M M M M K t - nT khi nT t n+1 / 2 T ;n= 0,2,3,... Δf = -K t - n+1 T khi n+1 / 2 T t n+1 T ;n= 0,1,2,3...          (9) Để nhận được luật điều tần tuyến tính phải xác định hệ số K của hệ điều chế. Độ dịch chuyển của màng điều chế khi đặt vào cuộn dây một điện áp U, trong cuộn dây xuất hiện một dòng điện. Tương tác giữa dòng điện và từ trường B, cuộn dây dịch chuyển làm xuất hiện suất điện động cảm ứng: dφ B.2πRWdx e= dt dt  (10) trong đó: B – Từ cảm xuyên qua cuộn dây(T); R – Bán kính cuộn dây(m); W- Số vòng của cuộn dây. Phương trình điện áp cho cuộn dây là: U – e = i.R + Ldi/dt (11) Phương trình vi phân chuyển động của cuộn dây là: m.x’’ + k.x = i.B.2RW (12) Chuyển sang phương trình ảnh Laplace để giải, ta có:   1 2 k k x t t k  (13) trong đó: m – Khối lượng cuộn dây (kg), k hệ số cứng của bản cực, k1 – Tốc độ biến thiên dòng điện, k2 = 2RBW Từ (12) ta thấy khi có dòng điện i = k1t đi qua cuộn dây ta sẽ nhận được chuyển động của bản cực màng là hàm tuyến tính bậc nhất theo t. Thay i = k1t và (13) vào phương trình (11) ta có luật điều tần tuyến tính (9) khi cấp điện áp cấp cho cuộn dây của bộ dịch chuyển thay đổi khe hở như sau:             1 M M M 1 M M M k r t + τ - nT , khi nT t n+1 / 2 T ;n=0,1,2,3... U t = k r (n+1)T -(t + τ) , khi n+1 / 2 T t n+1 T ;n=0,1,2,3...       (14) Kỹ thuật điện tử P. Đ. Thỏa, , C. V. Hiệp, “Xây dựng phương án tính toán tên lửa hành trình đối hải.” 94 2.2.3. Tính toán các tham số cho các khung (a nốt – lưới, lưới – ca tốt) Trên cơ sở các tham số kỹ thuật cần đạt được của máy phát và đèn phát Klystron, các tham số này tương đương với chỉ tiêu kỹ thuật của thiết bị đo cao vô tuyến trên tên lửa hành trình đối hải thế hệ đầu của Nga. Từ đó, tiến hành phân tích, tính toán và thiết kế các tham số cho khung anốt – lưới và khung lưới – catốt, sử dụng phần mềm autocad thiết kế, chế thử khung cộng hưởng, khung điều chế của máy phát theo các tham số tính toán như sau [8]: Đường kính ngoài d của thanh nối anốt ρ/138d = D.10 (15) Giá trị điện dung tương đương trên 1cm của khung Cэ1 được xác định:   -1 '1C = 0,242. lg D d   (16) Khi tính điều kiện cộng hưởng phải trừ đi điện dung mối ghép lưới – anốt. Trị số điện dung trên mối ghép được xác định theo công thức:   -1 -1 gag r 2 1C = ε a 1,8ln R R   (17) Điện dung ghép trên lối ra C0 của khung tính như sau:   -1 -1 0 ag r 2 1C = C - ε a 1,8ln R R   (18) Chiều dài khung anốt- lưới lag được tính theo biểu thức sau:   -1-1 ag 0 0 0 ag λl = c.ω arctg ω C ρ ;0<l < 4 (19) Độ dịch chuyển của màng điều chế được tính:   -1-1 -1max mind = 2c f - f c.ρ (20) Điện trở trên một đơn vị chiều dài (/cm) được xác định:  -4 -1 -1 -11 mR = 0,83.10 f D +d ρ.ρ (21) Điện dung tương đương của khung được tính theo biểu thức: -1 e 0 0 2πl 2πl C = 0,5. C + sin λω ρ λ           (22) Điện trở cộng hưởng tương đương được tính:    -12 2 -1e0 1R = 2ρ R l sin 2πlλ (23) Hệ số phẩm chất không tổn hao của khung được tính theo biểu thức sau: Qe0 = 0 .CeRe. (24) Điện trở tổn hao được xác định theo công thức sau:     -1 -1-1mica 2 1 micaR = 1,8. ω.tgδ ln R R ε .a (25) Tính chuyển điện trở về mắc song song, ta có: 2 2 2 ' 2 a 1 ρ sin θ R = r cos θ (26) Điện trở tổn hao do cách điện gá lắp Rd như sau: -1 d 0 gacR = ω C tgδ   (27) Nghiên cứu khoa học công nghệ Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Viện Điện tử, 9 - 2020 95 Điện trở cộng hưởng của khung khi kể đến tổn hao: -1 -1 -1 -1 ' -1 ' '0 mica dR = R +R +R +R   (28) trong đó:  - Điện trở sóng của khung; D – Đường kính ngoài của thanh nối; Cag – Điện dung giữa anốt – lưới; R1, R2 là bán kính lõi trong và lõi ngoài của cáp đồng trục;  - Hằng số điện môi tấm cách; f – Độ sâu điều chế; fmax, fmin là giới hạn max, min tần số điều chế; θ1, θ2 độ dài điện tại điểm đầu và cuối của khung; Cgk – Điện dung giữa lưới – ca tốt; a – Độ dày tấm cách; c – Tốc độ lan truyền sóng; ω0 – Tần số góc dao động trung tâm. 3. TÍNH TOÁN, CHẾ THỬ VÀ ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ Các tham số dữ liệu đầu vào phục vụ cho tính toán theo mục 2.2.3 như sau: Tần số mang: f0 = 2.10 9 Hz; 0 = 15 cm; Độ sâu điều chế: fmax = 50.10 6 Hz; Công suất phát: P > 0.3W; Điện trở sóng khung anot-lưới: 50 . Hằng số điện môi của chất cách điện:  = 7,4; Đường kính trong của trụ ngoài: D = 50mm, Độ dày tấm cách điện: a = 2,5mm; Điện trở suất của bạc mạ: B = 0,0163.10 6 Ωm; Điện trở suất của đồng vàng: B = 0,008.10 6 Ωm; Dòng đốt tốc: Iđ = 0,42-0,04 +0,08A; Dòng ngược của lưới (khi Ug = 2V):  1,5 A; Thiên áp lưới tại điểm làm việc: 1,8-1,0 +1,7 V; Độ hỗ dẫn của đường đặc tính: 18  3 mA/V; Công suất dao động (khi  = 7,2cm, Ia = 60mA):  1W; Điện dung lưới - Katốt: Cgk = 3,8 pF; Điện dung anốt - Katốt: Cak = 0,04 pF; Điện dung lưới-anốt: Cag  2,01 pF; Vận tốc lan truyền sóng: c = 3.10 8 m/s; Với các tham số kỹ thuật đầu vào ở trên, sử dụng phần mềm Autocad thiết kế, chế thử. Sản phẩm có được sau khi khung cộng hưởng, khung điều chế được ghép nối với đèn phát Klystron và hệ bản cực rung cho máy phát siêu cao tần (hình 9). (a) (b) (c) Hình 9. Sản phẩm chế thử khung cộng hưởng (a), khung điều chế (c) và ghép nối hình thành máy phát (b). Kết quả thử nghiệm của Phòng Thí nghiệm siêu cao tần khi đo các tham số kỹ thuật của máy phát siêu cao (Thiết bị sử dụng để kiểm nghiệm: Máy phân tích phổ HP 8593E; Máy đềm tần HP 5361B; Bộ dụng cụ chuẩn HP 85054B và các đầu chuyển đổi, dây cáp cao tần) và kết quả thu được như hình 10. Từ những kết quả đo kiểm nghiệm các tham số kỹ thuật (hình 10), ta thấy phổ của máy phát nằm trong dải tần (2,020  2,070) GHz; Dải điều chế của máy phát: f = 50,0 MHz; Công suất của máy phát: P = 630mW. Như vậy, máy phát siêu cao Kỹ thuật điện tử P. Đ. Thỏa, , C. V. Hiệp, “Xây dựng phương án tính toán tên lửa hành trình đối hải.” 96 tần theo phương án đề xuất được tính toán, chế thử có các tham số kỹ thuật đạt được phù hợp với số liệu tính toán theo lý thuyết, cụ thể: - Tần số trung tâm: (2045,0  25,0) MHz; - Dải tần số điều chế: 50,0 MHz; - Công xuất phát: 630 mW. Hình 10. Kết quả đo kiểm nghiệm các tham số kỹ thuật của sản phẩm máy phát siêu cao tần. 4. KẾT LUẬN Máy phát siêu cao tần là thành phần quan trọng trong thiết bị đo cao vô tuyến. Đây là modul quyết định đến nguyên lý hoạt động và phạm vi ứng dụng của thiết bị đo cao vô tuyến ứng phù hợp với chủng loại tên lửa hành trình, việc thực thi modul này là phức tạp về kỹ thuật và công nghệ chế tạo. Khi không có tài liệu công nghệ của nước ngoài và chưa có bản tính toán tường minh về máy phát. Bài báo đã đề xuất phương pháp tính toán, chế thử một loại máy phát siêu cao tần theo nguyên lý điều tần tuyến tính trên cơ sở những phân tích khoa học, kết hợp giữa lựa chọn cấu trúc, phân tích nguyên lý hoạt động và tính toán thiết kế theo bộ chỉ tiêu kỹ thuật đầu vào cho một loại máy phát, tương đương với chỉ tiêu kỹ thuật của thiết bị đo cao vô tuyến của một chủng loại tên lửa hành trình đối hải. Kết quả kiểm nghiệm khẳng định tính khả thi của phương án đưa ra, các tham số kỹ thuật của máy phát đạt được phù hợp với lý thuyết đã phân tích, tính toán. TÀI LIỆU THAM KHẢO [1]. Phạm Tuấn Hải, “Nâng cao chất lượng hệ dẫn đường thiết bị bay trên cơ sở áp dụng phương pháp xử lý thông tin kết hợp”, Học viện KTQS, 2011, Luận án TS. [2]. Trần Đức Thuận, “Hệ thống điều khiển Tên lửa và thiết bị phóng”, Viện KH&CN quân sự, 2013, Sách giáo trình chuyên khảo. [3]. A.V. Haeff, T.E. Hanley, C.B. Smith, “Wide-Range Ultra-High-Frequency Signal Generators” Proceedings of the IRE, Oct. 1947, IEEE, 1137 – 1143 [4]. E. E. Johnson, R. I. Desourdis, Jr., G. D. Earle, S. C. Cook, J. C. Ostergaard, Nghiên cứu khoa học công nghệ Tạp chí Nghiên cứu KH&CN quân sự, Số Đặc san Viện Điện tử, 9 - 2020 97 “Advanced High-Frequency Radio Communications”. Norwood, MA: Artech House, 1997. [5]. G.A.Fabrizio,“High frequency over-the-horizon radar: fundamental principles signal processing and practical applications”, McGraw Hill Professional, 2013 [6]. Tom Drechsel, Niko Joram, Frank Ellinger, “An ultra-wideband 6–14 GHz frequency modulated continuous wave primary radar with 3 cm range resolution”, Volume 75, November 2020, Pages 19-29. [7]. Р. А. Валитова, “Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах (проектирование и расчёт)”, Москва “Советское радио”, 1973. [8]. Ю. В. Виноградов, “Основы электронной и полупроводниковой техник”, Издательство “Энергия”, Москва, 1972 ABSTRACT CONSTRUCTION OF CALCULATION METHOD AND TEST OF THE HIGH- FREQUENCY GENERATOR IN THE HIGH-MEASURE RADAR EQUIPMENT FOR MARINE CRUISE MISSILES Because the role of ultra-high frequency transmitter is the module that determines the working principle of radio measuring equipment and the object of application, the research and manufacture of them are very complicated in terms of technical and manufacturing technology, requiring must have the participation of many different scientific fields, must provide a scientific basis in the all process. This paper will mention a plan to calculate, fubrication and testing ultra-high frequency transmitters based on the principle of linear frequency modulation applied on cruise missiles. The results of the spectrum analyzer verification have proved the mastery of manufacturing technology for ultra-high frequency transmitters on cruise missiles. Keywords: High-frequency generator; Radar altimeter; Linear frequency modulation. Nhận bài ngày 30 tháng 3 năm 2020 Hoàn thiện ngày 25 tháng 8 năm 2020 Chấp nhận đăng ngày 28 tháng 8 năm 2020 Địa chỉ: 1Viện Tên lửa, Viện KHCN quân sự; 2Viện Điện tử, Viện KHCN quân sự. * Email: Thoadthv34@gmail.com.