Một số câu hỏi trắc nghiệm khách quan chương điện trường - Điện thế trong chương trình Vật lí đại cương

thành cơng trong sự nghiệp trồng người. Em đạt được thành quả này là nhờ sự hướng dẫn và dạy bảo nhiệt tình của các thầy cơ cùng sự giúp đỡ của bạn bè. Trước những cơng lao to lớn đĩ, em khơng biết nĩi gì hơn, chỉ kính mong gửi lời cảm ơn chân thành và sâu sắc đến:  Các thầy cơ trong trường Đại học Sư phạm Tp.HCM đã tạo điều kiện tốt nhất để chúng em học tập tốt trong thời gian vừa qua.  Thầy Trương Đình Tịa đã hết sức nhiệt tình hướng dẫn, giúp đỡ em hồn thành đề tài này.  Tập thể lớp Lí năm nhất hệ cử nhân và chính qui đã nhiệt tình cộng tác để em hồn thành phần thực nghiệm sư phạm.  Tập thể Lí V- VT đã nhiệt tình đĩng gĩp ý kiến.  Thư viện trường Đại học Sư phạm Tp.HCM đã tạo điều kiện để em cĩ đầy đủ tài liệu thực hiện đề tài này. Trong quá trình hồn thành đề tài này, tuy đã cố gắng hết sức nhưng chắc hẳn em khơng tránh khỏi những sai sĩt. Em rất mong nhận được sự ủng hộ, đĩng gĩp ý‎ kiến của thầy cơ cùng các bạn. DANH SÁCH CÁC TỪ VIẾT TẮT TRONG LUẬN VĂN VIẾT ĐẦY ĐỦ VIẾT TẮT Áp dụng Biết Giáo viên Hiểu Phân tích kết quả Khảo sát Thành phố Hồ Chí Minh Trắc nghiệm khách quan nhiều lựa chọn Sinh viên Vận dụng AD B GV H PTKQ KS Tp.HCM TNKQNLC SV VD PHẦN MỞ ĐẦU Ngày nay, xã hội càng phát triển thì chất lượng giáo dục càng được quan tâm. Đĩ cũng chính là lí do khiến chúng ta chú ‎ý nhiều hơn tới các hình thức kiểm tra, đánh giá trong học tập. Một trong những hình thức đĩ là trắc nghiệm khách quan. Ở các nước phát triển trên thế giới, trắc nghiệm khách quan đã được hình thành và phát triển trước đây một thời gian khá lâ u. Đối với Việt Nam , với mục đích xây dựng một nền giáo dục đổi mới và hồn thiện hơn, trắc nghiệm cũng đã được đưa vào sử dụng ở các trường phổ thơng, cũng như bậc đại học. Đặc biệt, đối với các mơn tự nhiên, hình thức trắc nghiệm khách quan đã được áp dụng trong các kì thi tuyển đại học. Khơng phải ngẫu nhiên mà hình thức thi trắc nghiệm khách quan lại thu hút được nhiều sự quan tâm đến vậy mà bởi vì những ưu điểm điển hình của nĩ như: Hình thức trắc nghiệm khách quan cho kết quả phản hồi nhanh, chính xác, bao quát kiến thức rộng và phát huy được yếu tố cơng bằng, vơ tư, cĩ thể ngăn ngừa nạn học tủ, học vẹt và gian lận trong thi cử. Trắc nghiệm là một dụng cụ đo lường khả năng của người học cĩ phạm vi áp dụng rộng rãi ở các cấp học và rất nhiều lĩnh vực của cuộc sống. Chính vì vậy mà nhiệm vụ đặt ra cho những người thực hiện cơng tác giáo dục đĩ là phải trau dồi kiến thức, kĩ năng đánh giá, soạn thảo các câu trắc nghiệm đạt tiêu chuẩn. Nhưng điều đĩ thực sự khơng đơn giản khi mà các tài liệu bổ trợ để soạn thảo một bài trắc nghiệm thật khoa học, khách quan đặc thù cho từng mơn học, phù hợp với từng mục tiêu học tập cụ thể lại rất ít. Để soạn một câu trắc nghiệm thì khơng khĩ, nhưng để soạn một câu trắc nghiệm cĩ thể kiểm tra, đánh giá cũng như phân loại được trình độ của người học thì địi hỏi khá nhiều cơng sức của người soạn thảo. Với mong muốn được thử sức mình và gĩp một phần nhỏ kinh nghiệm trong việc soạn thảo và đưa vào sử dụng các câu hỏi trắc nghiệm, em đã chọn đề tài :” Một số câu hỏi trắc nghiệm khách quan chương Điện trường - Điện thế - Hiệu điện thế trong chương trình vật lí đại cương.” Đề tài này một mặt gĩp phần giúp cho việc thu thập những phản hồi về việc học chương trình điện đại cương chương” Điện trường - Điện thế - Hiệu điện thế” của sinh viên năm nhất hệ cử nhân và chính qui, mặt khác em cũng cĩ cơ hội tìm hiểu sâu hơn và được thực hành rèn luyện về phương pháp trắc nghiệm khách quan để cĩ thể ứng dụng cho cơng việc dạy học trong tương lai. I. LÍ DO CHỌN ĐỀ TÀI: – Nghiên cứu một số hình thức phổ biến của đo lường đánh giá, các vấn đề của kĩ thuật trắc nghiệm. – Phân tích nội dung, xây dựng mục tiêu nhận thức cần đ ạt được cho các kiến thức chương "Điện trường - Điện thế - Hiệu điện thế". – Xây dựng hệ thống 48 câu hỏi trắc nghiệm khách quan nhiều lựa chọn trong chương "Điện trường - Điện thế - Hiệu điện thế". – Phân tích đánh giá kết quả thu được để đưa ra những nhận xét về trình độ kiến thức của SV năm nhất về chương " Điện trường - Điện thế- Hiệu điện thế ". II. NHIỆM VỤ NGHIÊN CỨU CỦA ĐỀ TÀI: III. ĐỐI TƯỢNG NGHIÊN CỨU CỦA ĐỀ TÀI: – Quá trình dạy học chương "Điện tr ường - Điện thế - Hiệu điện thế" trong chương trình vật lí đại cương của SV đại học sư phạm TP.HCM. – Xây dựng và sử dụng hệ thống câu hỏi trắc nghiệm khách quan. Xây dựng hệ thống câu hỏi trắc nghiệm khách quan theo các mức độ nhận thức ở chương " Điện trường và điện thế- hiệu điện thế " và thực nghiệm đánh giá 143 SV hệ chính quy và 63 SV hệ cử nhân khĩa 35 của trường Đại học sư phạm TP.HCM. IV. PHẠM VI NGHIÊN CỨU CỦA ĐỀ TÀI. – Phương pháp nghiên cứu luận. – Phương pháp nghiên cứu điều tra, phỏng vấn. – Phương pháp nghiên cứu thực nghiệm. – Phương pháp bổ trợ (phần mềm xử lý thống kê Test và phần mềm đảo đề). – Phương pháp thống kê tốn học. V. PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU PHẦN NỘI DUNG CƠ SỞ LÝ LUẬN VỀ KIỂM TRA–ĐÁNH GIÁ BẰNG TRẮC NGHIỆM KHÁCH QUAN CHƯƠNG I I. TỔNG QUAN VỀ ĐO LƯỜNG VÀ ĐÁNH GIÁ: - Trong cuộc sống thường ngày, nhu cầu về đo lường và đánh giá chiếm một tỉ lệ lớn. Con người luơn phải đối chiếu các hoạt động đang triển khai với các mục đích đã định, hoặc thẩm định với các kết quả đã làm để từ đĩ cải tiến. 1.1 Nhu cầu đo lường và đánh giá trong giáo dục: - Muốn đánh giá được chính xác thì phải đo lường trước. Khơng cĩ số đo thì khơng thể đưa ra n hững nhận xét hữu ích. - Trong giáo dục , việc đo lường và đánh giá đĩng vai trị rất quan trọng bởi nhờ đĩ mà giáo viên hiểu được trình độ, khả năng tiếp thu của học sinh, từ đĩ đề ra hình thức dạy học phù hợp với từng đối tượng học sinh nhằm phát huy tính tích cực của học sinh và nâng cao hiệu quả dạy và học. Trong giáo dục, dụng cụ đo lường chính là các hình thức kiểm tra đánh giá. Một dụng cụ đo lường tốt cần cĩ trước hết những đặc điểm : tính tin cậy và tính giá trị. Từ trước đến nay trong giáo dục đã cĩ những hình thức đo lường kết quả học tập cơ bản như sau: 1.2 Các dụng cụ đo lường: 1.3 Đối chiếu giữa hình thức luận đề và trắc nghiệm khách quan: 1.3.1 Sự giống nhau giữa luận đề và trắc nghiệm Báo cáo khoa học Tiểu luận Trắc nghiệm Quan sát Viết Vấn đáp Trắc nghiệm khách quan Câu 2 lựa chọn Câu điền khuyết Câu nhiều lựa chọn Câu ghép cặp Luận đề - Cĩ thể đo lường mọi thành quả học tập quan trọng. - Cĩ thể được sử dụng để thuyết trình học sinh học tập nhằm đạt các mục tiêu: Hiểu biết các nguyên lý, tổ chức và phối hợp các ý tưởng, ứng dụng kiến thức trong việc giải quyết các vấn đề. - Đều địi hỏi sự vận dụng ít nhiều phán đốn chủ quan. - Giá trị của chúng phụ thuộc vào tính khách quan và đáng tin cậy của chúng. Cả trắc nghiệm lẫn luận đề đều cĩ thể sử dụng để : - Đo lường mọi thành quả học tập mà một bài khảo sát viết cĩ thể đo lường được. - Khảo sát khả năng hiểu và áp dụng các nguyên lý. - Khảo sát khả năng suy nghĩ cĩ phê phán. - Khảo sát khả năng giải quyết các vấn đề mới. - Khảo sát khả năng lựa chọn các sự kiện thích hợp và các nguyên tắc để phối hợp chúng lại với nhau nhằm giải quyết các vấn đề phức tạp. - Khuyến khích học tập để nắm vững kiến thức. LUẬN ĐỀ 1.3.2 Sự khác nhau giữa luận đề và trắc nghiệm: TRẮC NGHIỆM KHÁCH QUAN – Thí sinh phải tự mình soạn ra câu trả lời và diễn tả bằng ngơn ngữ của chính mình. – Số câu hỏi trong một bài tương đối ít, cĩ tính tổng quát. –Thí sinh bỏ ra phần lớn thời gian để suy nghĩ và viết. –Chất lượng bài khơng những phụ thuộc vào bài làm của thí sinh mà cịn phụ thuộc vào kĩ năng của người chấm bài. –Bài thi tương đối dễ soạn, khĩ chấm, khĩ cho điểm chính xác. –Thí sinh tự bộc lộ cá tính của mình trong câu trả lời, người chấm bài cho điểm theo các đáp án sẵn và theo xu hướng riêng của mình. –Cho phép và đơi khi khuyến khích sự "lừa phỉnh". –Sự phân bố điểm kiểm sốt một phần do người chấm. – Thí sinh chỉ cần lựa chọn câu trả lời đúng nhất trong các câu trả lời cho sẵn. – Số câu hỏi trong một bài nhiều, cĩ tính chuyên biệt. –Thí sinh dùng nhiều thời gian để đọc và suy nghĩ. – Chất lượng bài xác định phần lớn do kĩ năng của người soạn thảo. –Bài thi khĩ soạn, chấm và cho điểm tương đối dễ dàng và chính xác. –Thí sinh tự do chứng tỏ mức độ hiểu biết của mình qua tỷ lệ câu làm đúng, người soạn thảo tự do bộc lộ kiến thức của mình qua việc đặt câu hỏi. –Cho phép đơi khi khuyến khích sự phỏng đốn. –Sự phân bố điểm hầu như hồn tồn quyết định do bài trắc nghiệm. Theo ý kiến của các chuyên gia về trắc nghiệm, ta nên sử dụng luận đề và trắc nghiệm để khảo sát kết quả học tập trong những trường hợp dưới đây: LUẬN ĐỀ TRẮC NGHIỆM KHÁCH QUAN – Khi nhĩm học sinh dự thi hay kiểm tra khơng quá đơng và đề thi ch ỉ được sử dụng một lần khơng dùng lại nữa. – Khi giáo viên tìm mọi cách cĩ thể được để khuyến khích và khen thưởng sự phát triển kỹ năng diễn tả bằng văn viết. – Khi giáo viên muốn thăm dị thái độ hay tìm hiểu tư tưởng của học sinh về một vấn đề nào đĩ hơn là thành quả học tập của chúng. – Khi giáo viên tin tưởng vào tài năng phê phán và chấm bài luận đề một cách vơ tư và chính xác hơn là vào khả năng soạn thảo những câu trắc nghiệm tốt. – Khi khơng cĩ nhiều thời gian cho soạn thảo và khảo sát nhưng lại cĩ nhiều thời gian cho chấm bài. – Khi ta cần khảo sát thành quả học tập của một số đơng học sinh, hay muốn bài khảo sát thấy cĩ thể sử dụng vào một lúc khác. – Khi ta muốn cĩ những điểm số đá ng tin cậy, khơng phụ thuộc vào chủ quan của người chấm bài. – Khi những yếu tố cơng bằng, vơ tư chính xác là những yếu tố quan trọng nhất của việc thi cử. – Khi cĩ nhiều câu trắc nghiệm tốt đã được dự trữ sẵn để cĩ thể lựa chọn và soạn lại một bài trắc nghiệm mới, và muốn chấm nhanh để sớm cơng bố kết quả. – Khi muốn ngăn ngừa nạn học tủ, học vẹt và gian lận thi cử. Để soạn thảo một bài trắc nghiệm cần thực hiện 6 bước cơ bản sau: II. CÁC BƯỚC SOẠN THẢO MỘT BÀI TRẮC NGHIỆM - Bước 1: Xác định mục đích bài kiểm tra. - Bước 2: Phân tích nội dung, lập bảng phân tích nội dung. - Bước 3: Xác định mục tiêu học tập. - Bước 4: Thiết kế dàn bài trắc nghiệm. - Bước 5: Lựa chọn câu hỏi cho bài trắc nghiệm. - Bước 6: Trình bày bài kiểm tra. Trắc nghiệm cĩ thể phục vụ cho nhiều mục đích khác nhau. Tùy theo từng mục đích, mà bài trắc nghiệm sẽ cĩ nội dung, mức độ khĩ dễ của bài, số lượng câu và thời gian làm bài thích hợp. 2.1 Xác định mục đích bài kiểm tra: Ví dụ: + Bài thi cuối kì nhằm mục đích phát hiện ra được sự khác biệt giữa các học sinh giỏi và kém. + Bài kiểm tra thơng thường nhằm mục đích kiểm tra những hiểu biết tối thiểu về phần nào đĩ. + Mục đích chuẩn đốn, tìm ra những chỗ mạnh, chỗ yếu của HS để giúp ta quy hoạch việc giảng dạy cĩ hiệu quả hơn. + Mục đích tập luyện, hiểu thêm bài học, làm quen với lối thi trắc nghiệm.... 2.2 Phân tích nội dung, lập bảng phân tích nội dung chương trình cần kiểm tra: 2.2.1 Các bước phân tích nội dung: Phân tích nội dung gồm 4 bước: – Tìm ra những ý tưởng chính yếu của nội dung cần kiểm tra. – Tìm ra những khái niệm quan trọng để đem ra khảo sát trong các câu trắc nghiệm (tức là lựa chọn những từ, nhĩm chữ, ký hiệu mà học sinh cần giải nghĩa). – Phân loại hai hạng thơng tin: (1) Những thơng tin nhằm mục đích giải nghĩa hay minh họa và (2) những khái luận quan trọng để lựa chọn những điều quan trọng mà học sinh cần phải nhớ. – Lưạ chọn một số thơng tin và ý tưởng địi hỏi học sinh phải cĩ khả năng ứng dụng những điều đã biết để giải quyết vấn đề trong những tình huống mới. Nội dung Đề mục 2.2.2 Bảng phân tích nội dung: Sự kiện Khái niệm Ý tưởng quan trọng (quy luật) 2.3 Xác định mục tiêu học tập: 2.3.1 Tầm quan trọng của việc xây dựng mục tiêu: Xác định mục tiêu cụ thể cho từng mơn học hay chương trình học là vơ cùng quan trọng. Xây dựng mục tiêu cĩ nghĩa là phải xác định những tiêu chí, kỹ năng, kiến thức học sinh cần đạt khi kết thúc chương trình đào tạo và sau đĩ xây dựng quy trình cơng cụ đo lường, đánh giá xem học sinh cĩ đạt được những tiêu chí đĩ khơng. - Tạo dễ dàng cho việc kiểm tra và chấm điểm cơng bằng. 2.3.2 Những lợi điểm khi khi xác định rõ ràng các mục tiêu cần đạt: - Mục đích của mơn học, nội dung mơn học và qui trình đánh giá vừa nhất quán vừa quan hệ chặt chẽ với nhau. - Mục tiêu cho phép người đánh giá xác định hoạt động giảng dạy và tài liệu học tập nào cĩ hiệu quả. - Cho thấy rõ ràng sự đối chiếu kết quả đào tạo giữa nội dung giảng viên truyền đạt và nội dung học sinh tiếp thu và cĩ thể thực hành được. - Mơ hình giảng dạy hợp lí phải xác định được trình tự giữa mục tiêu và nội dung. - Khuyến khích học sinh tự đánh giá vì họ biết phải đạt cái gì. - Hỗ trợ hiệu quả việc học của học sinh và giảm bớt lo lắng vì cĩ hướng dẫn và xác định rõ các tri thức ưu tiên trong giảng dạy. - Học sinh hiểu rõ các mơn học cĩ liên thơng với nhau và gắn với mục đích đào tạo. 2.3.3 Đặc điểm của mục tiêu học tập: Mục tiêu học tập phải cụ thể, cĩ thể đo được, cĩ thể đạt được, phải hướng vào kết quả, phải giới hạn thời gian. 2.3.4 Phân loại mục tiêu giảng day: - Theo Bloom, mục tiêu thuộc lĩnh vực nhận t hức cĩ 6 mức độ từ thấp đến cao: Biết, thơng hiểu , áp dụng, phân tích, tổng hợp và đánh giá. - Một số hành động ứng với từng mức độ nhận thức của Bloom: KIẾN THỨC Định nghĩa Mơ tả Thuật lại Viết Nhận biết Nhớ lại Gọi tên Kể ra Lựa chọn Tìm kiếm Tìm ra cái phù hợp Kể lại Chỉ rõ vị trí Chỉ ra Phát biểu Tĩm lược THƠNG HIỂU Giải thích Cắt nghĩa So Sánh Đối chiếu Chỉ ra Minh họa Suy luận Đánh giá Cho ví dụ Chỉ rõ Phân biệt Tĩm tắt Trình bày Đọc ÁP DỤNG Sử dụng Tính tốn Thiết kế Vận Dụng Giải quyết Ghi lại Chứng minh Hồn thiện Dự đốn Tìm ra Thay đổi Làm Ước Tính Sắp xếp thứ tự Điều khiển PHÂN TÍCH Phân tích Phân loại So sánh Tìm ra Phân biệt Phân cách Đối chiếu Lập giả thuyết Lập sơ đồ Tách bạch Phân chia Chọn lọc TỔNG HỢP Tạo nên Soạn Đặt kế hoạch Kết luận Kết hợp Đề xuất Giảng giải Tổ chức Thực hiện Làm ra Thiết kế Kể lại ĐÁNH GIÁ Chọn Thảo luận Đánh giá So sánh Quyết định Phán đốn Tranh luận Cân nhắc Phê phán Ủng hộ Xác định Bảo vệ - Dàn bài trắc nghiệm thành quả học tập là bảng dự kiến phân bố hợp lí các câu hỏi của bài trắc nghiệm theo mục tiêu (hay quá trình tư duy) và nội dung của mơn học sao cho cĩ thể đo lường chính xác các khả năng mà ta muốn đo. 2.4 Thiết kế dàn bài trắc nghiệm: - Giáo viên cần chú ý các vấn đề liên quan đến dàn bài trắc nghiệm: + Tầm quan trọng thuộc phần nào, ứng với mục tiêu nào. + Cần trình bày câu hỏi dưới hình thức nào để cĩ hiệu quả nhất. + Xác định trước mức độ khĩ dễ của bài trắc nghiệm… - Thiết kế dàn bài trắc nghiệm nhằm quy định số câu trắc nghiệm cho mỗi phần và lập bảng quy định hai chiều để thể hiện số câu và tỉ lệ % cho từng nội dung mục tiêu nhận thức. - Minh họa thiết kế dàn bài trắc nghiệm: Nội Dung Mục Tiêu A B C D Tổng cộng Tỉ lệ Biết 4 3 2 1 10 20% Hiểu 6 2 5 1 14 28% Áp Dụng 11 10 3 2 26 52% Tổng Cộng 21 15 10 4 50 100% - Số câu của một bài trắc nghiệm tùy thuộc vào lượng thời gian dành cho việc kiểm tra. Thời gian càng dài thì số câu càng nhiều. + Bài kiểm tra từ 80-100 phút số câu cĩ thể từ 40 đến 50 câu. + Bài kiểm tra khoảng 2 giờ số câu cĩ thể từ 60 câu trở lên. 2 phút cho một câu nhiều lựa chọn 1 phút cho câu đúng - sai. III. CÁC HÌNH THỨC CÂU TRẮC NGHIỆM. –Loại câu hai lựa chọn. –Loại câu nhiều lựa chọn. –Loại đối chiếu cặp đơi. –Loại câu ghép cặp. 3.1. Các loại câu trắc nghiệm cơ bản: Hình thức câu trắc nghiệm Cấu trúc Đặc điểm cơ bản Câu hai lựa chọn Gồm 2 phần: - Phần gốc: Một câu phát biểu - Phần lựa chọn: Đúng (Đ)-Sai(S) – Cĩ thể đặt được nhiều câu trong một bài trắc nghiệm. – Là hình thức đơn giản nhất, cĩ thể áp dụng rộng rãi – Độ may rủi 50%, nên khuyến khích đốn mị. Câu nhiều lựa chọn Gồm 2 phần : - Phần gốc: là một câu hỏi hay câu bỏ lửng. - Phần lựa chọn : Một lựa chọn đúng (đáp án), những lựa chọn cịn lại là sai nhưng cĩ vẻ đúng và hấp dẫn( mồi nhử, câu nhiễu) – Phổ biến nhất hiện nay. – Độ phân cách lớn (nếu soạn thảo đúng kỹ thuật) – Độ may rủi thấp (25% với câu 4 lựa chọn, 20% với câu 5 lựa chọn.) – Càng nhiều lựa chọn, tính chính xác càng cao. Câu đối chiếu cặp đơi Gồm 3 phần: - Phần chỉ dẫn cách trả lời - Phần gốc (cột 1): gồm những câu ngắn, đoạn, chữ… - Phần lựa chọn (cột 2): cũng gồm – Số câu ở hai cột khơng bằng nhau – Các lựa chọn khơng quá dài làm mất thì giờ của học sinh. Hình thức câu trắc nghiệm Cấu trúc Đặc điểm cơ bản những câu ngắn, chữ, số… Câu điền khuyết Cĩ hai dạng: - Dạng 1: gồm những câu hỏi với lời giải đáp ngắn. - Dạng 2: Câu phát biểu với một hay nhiều chỗ để trống người trả lời điền vào một từ hay một nhĩm từ – Chỗ để trống điền vào chỉ cĩ một đáp án duy nhất – Thường thể hiện ở mục tiêu nhận thức thấp. 3.2. Ưu, nhược điểm của loại câu nhiều lựa chọn: + Rất linh động cĩ thể được trình bày dưới nhiều dạng khác nhau. Ưu điểm: + Cĩ thể đánh giá những mục tiêu giảng dạy và học tập khác nhau. + Độ tin cậy cao, yếu tố đốn mị, may rủi của học sinh giảm. + Học sinh phải xét đốn và phân biệt kỹ càng khi trả lời câu hỏi. + Tính chất giá trị tốt hơn các loại câu khác, cĩ thể dùng để đo lường mức độ đạt được nhiều mục tiêu giáo dục. + Cĩ thể phân tích được tính chất của câu hỏi, cĩ thể xác định được câu nào là quá khĩ, mơ hồ hay khơng giá trị đối với mục tiêu cần khảo sát. + Tính chất khách quan khi chấm. + Do đĩ hình thức nhiều lựa chọn cho phép sử dụng rộng rãi hơn. + Khĩ soạn câu hỏi. Nhược điểm: + Khơng đo được khả năng phán đốn tinh vi và khả năng giải quyết vấn đề khéo léo một cách hiệu nghiệm bằng câu hỏi tự luận.. + Thí sinh tìm ra cách trả lời hay hơn nên họ khơng thỏa mãn với đáp án cho sẵn. + Đơi khi câu hỏi đặt ra tối nghĩa, câu trả lời được cho là đúng thực sự là sai, các câu nhiễu được cho là sai thực ra là đúng. Kết luận: Thật ra khơng cĩ bài trắc nghiệm nào là hồn hảo. Vấn đề căn bản là các câu trắc nghiệm phải soạn thảo như thế nào để cĩ hiệu quả nhất. Do những ưu điểm trên của câu trắc nghiệm nhiều lựa chọn so với các loại khác nên trong đề tài này đã sử dụng loại câu này cho cả hệ thống 48 câu trắc nghiệm. IV. ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ BÀI TRẮC NGHIỆM. - Phân tích câu trắc nghiệm sẽ giúp người soạn thảo : 4.1. Phân tích câu trắc nghiệm. + Biết được độ khĩ, độ phân cách của mỗi câu. + Biết được giá trị của đáp án và mồi nhử, đánh giá được câu trắc nghiệm. + Ra quyết định chọn, sửa hay bỏ câu trắc nghiệm ấy. + Làm gia tăng tính tin cậy ( hệ số tin cậy ) của bài trắc nghiệm. - Để phân tích câu trắc nghiệm cần thực hiện 3 bước cơ bản sau: + Thẩm định độ khĩ của từng câu trắc nghiệm. + Xác định độ phân cách của từng câu trắc nghiệm. + Phân tích các mồi nhử, từ đĩ đưa ra kết luận chung. (Đồng ý hay phải sửa chữa). 4.1.1 Độ khĩ của câu trắc nghiệm: (0 ≤ P ≤ 1) P=0: Câu hỏi quá khĩ P=1: Câu hỏi quá dễ. Những câu hỏi loại này khơng cĩ giá trị đánh giá, cần phải xem xét lại. 4.1.1.1 Cơng thức tính: – Loại câu đúng –sai tỉ lệ may rủi :50% – Loại câu 4 lựa chọn tỉ lệ may rủi :25% – Loại câu 5 lựa chọn tỉ lệ may rủi :20% Đối với câu trắc nghiệm 4 lựa chọn thì độ khĩ vừa phải là: + ĐKC > ĐKVP ⇒ Câu trắc nghiệm dễ so với trình độ học sinh 4.1.1.2 Các bước phân tích độ khĩ của câu. –Bước 1: Xác định độ khĩ của câu trắc nghiệm (ĐKC). –Bước 2: So sánh với độ khĩ vừa phải (ĐKVP) của câu trắc nghiệm ấy + ĐKC < ĐKVP ⇒ Câu trắc nghiệm khĩ so với trình độ học sinh . + ĐKC ≈ ĐKVP ⇒ Câu trắc nghiệm vừa sức so với trình độ học sinh 4.1.2 Độ phân cách câu trắc nghiệm (D) Độ khĩ vừa phải câu i 100%+% may rủi 2 = P = Độ khĩ câu i Số người trả lời đúng câu i Tổng số người làm bài trắc nghiệm = 100% 25%DKVP 0,625 2 + = = Câu trắc nghiệm khĩ Câu trắc nghiệm vừa sức Câu trắc nghiệm dễ ĐKVP Bước 1 : Xếp bài của HS từ điểm thấp đến điểm cao. 4.1.2.1 Cơng thức tính : Sau khi đã chấm cộng điểm từng bài, để biết độ phân cách ta thực hiện : Bước 2 : Lấy 27% tổng số bài cĩ điểm từ cao nhất trở xuống xếp vào nhĩm cao. Lấy 27% tổng số bài cĩ điểm thấp nhất lên trên xếp vào nhĩm thấp. Bước 3 : Đếm số người làm đúng trong mỗi nhĩm, gọi là đúng (cao), đúng (thấp). Bước 4 :Tính D theo cơng thức: Chú thích: Cĩ thể tính độ phân cách của một số câu trắc nghiệm theo cách tương đương: Thực hiện bước 1 và 2 như mơ tả trên, trong bước 3, tính tỉ lệ phần trăm học sinh làm đúng câu trắc nghiệm riêng cho từng nhĩm (cao, thấp) bằng cách đếm số người làm đúng trong mỗi nhĩm và chia cho số người của nhĩm (số người mỗi nhĩm = 27% tổng số bài làm học sinh). Sau đĩ thay vào cơng thức (bước 4): D = Tỉ lệ % nhĩm cao làm đúng câu trắc nghiệm- Tỉ lệ % nhĩm thấp làm đúng câu trắc nghiệm. + D 4.1.2.2 Ý nghĩa độ phân cách: Độ phân cách của một câu trắc nghiệm nằm trong giới hạn từ -1.00 đến +1.00 ≥ 0.4: Câu cĩ độ phân cách rất tốt. + 0.3 ≤ D ≤ 0.39: Câu cĩ độ phân cách khá tốt nhưng cĩ thể làm cho độ phân cách tốt hơn. + 0.2 ≤ D ≤ 0.29 : Câu cĩ độ phân cách tạm được, cần phải điều chỉnh + D ≤ 0.19 : Câu cĩ độ phân cách kém, cần phải loại bỏ hay gia cơng sửa chữa. + D < 0 : Câu cĩ độ phân cách âm, khi số HS nhĩm thấp làm đúng câu i nhiều hơn số HS nhĩm cao làm đúng câu i Chú ý: Trong luận văn này, đã sử dụng phần mềm Test. Độ phân cách D của câu cĩ thể thay bằng hệ số tương quan câu hỏi-tổng điểm (rs ( ) ( ) − =    − −       ∑ ∑ ∑ ∑ ∑ ∑ ∑ s 2 22 2 N x.y x y r N x x N y y ) x: Tổng điểm của HS trong nhĩm. y: Điểm số mỗi câu • rs • r >0 : Câu hỏi phân biệt được học sinh giỏi-kém s • r <0 : Điểm mỗi câu và tổng điểm khơng tương hợp với nhau. s=0 : Câu hỏi khơng phân biệt được giữa điểm số cao và thấp. 4.1.3. Phân tích đáp án và mồi nhử: - Đáp án là lựa chọn được xác định là đúng nhất trong số các lựa chọn của phần trả lời câu trắc nghiệm (hoặc là giá trị đúng của mệnh đề trong câu Đúng- Sai) 4.1.3.1 Phân tích đáp án: D = Độ phân cách câu i = × Đúng (cao) - Đúng (thấp) 100% Số người trong một nhóm - Câu trả lời đúng (đáp án) được coi là giá trị khi số học sinh trả lời đúng trong nhĩm cao phải nhiều hơn số học sinh trả lời đúng trong nhĩm thấp (tương quan thuận). - Mồi nhử là những lựa chọn được xác định là sai trong phần trả lời. 4.1.3.2 Phân tích mồi nhử: - Một mồi nhử được gọi là tốt khi học sinh thuộc nhĩm cao ít chọn nĩ, cịn học sinh thuộc nhĩm thấp chọn nĩ nhiều hơn (tương quan nghịch). - Độ khĩ khơng quá cao hoặc quá thấp, đạt khoảng 40% hoặc 60% 4.1.4 Một số tiêu chuẩn để chọn được câu trắc nghiệm tốt: - Đối với đáp án, độ phân cách dương, khá cao. - Với các mồi nhử, số người trong nhĩm cao chọn phải ít hơn số người trong nhĩm thấp. 4.2 Phân tích bài trắc nghiệm: 4.2.1 Ứng dụng điểm số trung bình để đánh giá bài trắc nghiệm. Điểm số trung bình tính trên tồn thể học sinh tham gia làm bài trắc nghiệm dùng để đánh giá bài trắc nghiệm vừa sức với học sinh hay khĩ hoặc dễ. Để thực hiện điều đĩ ta đối chiếu điểm trung bình làm bài của học sinh với điểm trung bình lý thuyết (trung bình mong đợi). (Điểm may rủi= Điểm tối đa 4.2.1.1 Điểm trung bình lý thuyết (Mean LT) - Cơng thức : × % may rủi) - Đối với luận văn này cĩ 48 câu loại 4 lựa chọn thì : Mean LT = + × =48 48 25% 30 2 X 4.2.1.2 Điểm trung bình bài trắc nghiệm (Mean): - Cơng thức: i : Số điểm bài trắc nghiệm của học sinh thứ i N: Tổng số học sinh làm bài - Lưu ý: Tính điểm trung bình khi mỗi điểm số cĩ hệ số khác nhau, ta nhân hệ số với điểm số trước khi cộng và mẫu số bây giờ là tổng các hệ số. Nếu là phân bố tần số, ta nhân từng điểm số với tần số sau đĩ mới cộng chúng lại. Tổng này sẽ chia với tổng các tần số, ta được Mean. + Mean>Mean LT ⇒Bài trắc nghiệm dễ so với trình độ học sinh. 4.2.1.3 Đánh giá độ khĩ bài trắc nghiệm. - Để đánh giá độ khĩ bài trắc nghiệm căn cứ trên điểm trung bình, ta so sánh Mean và Mean LT: + Mean<Mean LT ⇒Bài trắc nghiệm khĩ so với trình độ học sinh. Mean = N i i 1 X N = ∑ Mean LT Điểm tối đa+Điểm may rủi 2 = Hàng số = Max - Min ( ) ( ) 22 i iN X XSD N N 1 = = σ = − ∑ ∑ + Mean ≈ Mean LT⇒Bài trắc nghiệm vừa sức so với trình độ học sinh. - Để chính xác hơn ta sử dụng trục số sau: Với : Giá trị biên dưới = Mean –Z x S/ N Giá trị biên trên = Mean +Z x S/ N + N: Số học sinh + Z: Trị số tùy thuộc vào xác suất tin cậy định trước. Ta thường chọn xác suất tin cậy 95% thì Z=1.96. Nếu chọn mức xác suất cao hơn, tin cậy 99% thì Z= 2.58 + S: Độ lệch tiêu chuẩn.(được xét trong phần sau) 4.2.2 Các số đo độ phân tán: Là các số đo tính chất biến thiên của điểm số quanh trung tâm. - Cơng thức: Min : Điểm số thấp nhất Max: Điểm số cao nhất - Ý nghĩa: Hàng số cho biết độ phân tán điểm số của học sinh trong một lớp: +Nếu giá trị của hàng số lớn : các điểm số phân tán xa trung tâm. +Nếu giá trị của hàng số bé : các điểm số tập trung gần trung tâm. Ta thường dùng hàng số để so sánh mức phân tán điểm số giữa các lớp với nhau. Ngồi ra nĩ cịn giúp chúng ta nhận xét chất lượng tiếp thu bài của hai hay nhiều lớp trong trường. 4.2.2.1. Hàng số: - Cơng thức : X 4.2.2.2 Độ lệch tiêu chuẩn.(SD) i + Nếu giá trị : Tổng điểm bài trắc nghiệm câu i. N: Số người làm bài trắc nghiệm . - Cơng dụng: Độ lệch tiêu chuẩn là một số đo lường cho biết điểm số trong một phân bố lệch đi so với trung bình là bao nhiêu. σ là nhỏ : điểm số tập trung quanh trung bình. + Nếu giá trị σ là lớn: điểm số lệch xa trung bình. Dễ Vừa Sức Khĩ Biên dưới Biên trên - Dùng độ lệch tiêu chuẩn khi: + Cần so sánh mức phân tán hay đồng nhất của hai hay nhiều nhĩm điểm số (cùng đơn vị đo và cĩ trung bình xấp xỉ bằng nhau) + Dùng độ lệch tiêu chuẩn để xét tính chất tượng trưng của trung bình cộng. Nếu hai hay nhiều phân bố gần giống nhau, cĩ trung bình như nhau, phân bố nào cĩ SD nhỏ nhất thì trung bình cộng của phân bố ấy cĩ tính chất tượng trưng nhiều nhất. + Độ lệch tiêu chuẩn cĩ thể giúp ta xác định vị trí của một điểm số trong phân bố. 4.2.2.3 Sai số tiêu chuẩn đo lường.(SEM) - Cơng thức : σ : Độ lệch tiêu chuẩn bài trắc nghiệm r : hệ số tin cậy bài trắc nghiệm. - Ý nghĩa: Sai số này cho ta biết mức biến thiên mà ta cĩ thể kỳ vọng ở điểm số của một học sinh nào đĩ mà được khảo sát trên bài trắc nghiệm đĩ nhiều lần. Trong đĩ: R 4.2.3 Hệ số tin cậy của bài trắc nghiệm: - Cơng thức tính (Cơng thức Spearman- Brown) TC: Hệ số tin cậy X: Tổng điểm các câu lẻ. Y: Tổng điểm các câu chẵn RXY: Hệ số tương quan Pearson giữa X và Y trong bài Test. - Nếu RTC > 0.8: Hệ số tin cậy của bài trắc nghiệm cao. - Nếu 0.7 < RTC < 0.8: Hệ số tin cậy của bài trắc nghiệm là tạm chấp nhận. - Nếu 0.5 < RTC < 0.7: Hệ số tin cậy của bài trắc nghiệm ở mức trung bình. Bài trắc nghiệm cĩ nhiều câu hỏi cần phải chỉnh sửa. 4.3 Các loại điểm số trắc nghiệm. 4.3.1 Điểm thơ: - Tổng cộng các điểm số từng câu trắc nghiệm được gọi là điểm thơ. - Để so sánh giữa các bài trắc nghiệm cĩ độ khĩ khác nhau, ta phải quy đổi điểm thơ sang các loại điểm tiêu chuẩn khác. 4.3.2 Các loại điểm tiêu chuẩn: 4.3.2.1 Điểm phần trăm đúng: - Điểm số này tính bằng tỉ lệ phần trăm, theo cơng thức: SEM 1 r= σ − X=100 Đ/T 2* 1 XY TC XY rR r = + X: Điểm tính theo tỉ lệ phần trăm Đ : Số câu học sinh làm đúng T: Tổng số câu bài trắc nghiệm - Ý nghĩa: Điểm phần trăm đúng so sánh điểm của học sinh này với điểm số tối đa cĩ thể đạt được. X: là một điểm thơ. 4.3.2.2 Điểm Z (Z score): X là điểm thơ trung bình của nhĩm làm trắc nghiệm. s: độ lệch tiêu chuẩn của nhĩm làm trắc nghiệm. - Ý nghĩa: Điểm Z cho biết vị trí của một học sinh cĩ điểm thơ X so với trung bình của nhĩm học sinh cùng làm bài trắc nghiệm. - Bảng Z : Cho ta tính ước lượng tỉ lệ % học sinh ở phía dưới hay phía trên một học sinh đạt điểm số Z nào đĩ. - Đề tài này đã quy đổi điểm bài TNKQ sang điểm tiêu chuẩn V (Xử lý bằng phần mềm Test). 4.3.2.3 Điểm tiêu chuẩn V - Căn bản giống điểm Z, nhưng quy về phân bố bình thường cĩ trung bình là 5, độ lệch tiêu chuẩn là 2 (Với hệ thống điểm cho từ 0 →10). Điểm tiêu chuẩn V= 2Z+5 X XZ s − = NỘI DUNG CHƯƠNG ĐIỆN TRƯỜNG VÀ ĐIỆN THẾ - HIỆU ĐIỆN THẾ PHẦN A: LÍ THUYẾT CHƯƠNG II I. ĐIỆN TÍCH- TƯƠNG TÁC GIỮA CÁC ĐIỆN TÍCH: 1.1 Điện tích: 1.1.1 Các loại điện tích: Như chúng ta đều biết, một số vật khi đem cọ xát vào len, dạ, lụa, lơng thú…sẽ cĩ khả năng hút được các vật nhẹ. Ta nĩi những vật này đã bị nhiễm điện hay trên vật đã cĩ điện tích. Trong tự nhiên cĩ hai loại điện tích: điện tích dương và điện tích âm. Theo qui ước, điện tích dương là loại điện tích giống điện tích xuất hiện trên thanh thủy tinh sau khi cọ xát nĩ vào lụa; cịn điện tích âm giống điện tích xuất hiện trên thanh ebonit sau khi cọ xát nĩ vào dạ. 1.1.2 Điện tích nguyên tố - Điện tích nguyên tố là điện tích nhỏ nhất đã được biết đến trong tự nhiên mà khơng thể bị tách ra thành lượng nhỏ hơn, cĩ độ lớn là e= 1,6.10-19C. - Khi một vật bất kỳ mang điện, thì điện tích của nĩ luơn là một số nguyên lần điện tích nguyên tố q = ne. - Ở trạng thái bình thường, số prơtơn và số electron trong nguyên tử là bằng nhau. Khi đĩ ta nĩi nguyên tử trung hịa về điện. 1.1.3 Thuyết electron: - Nếu nguyên tử mất một hay vài electron, nĩ sẽ mang điện dương và trở thành ion dương. - Nếu nguyên tử nhận thêm electron, nĩ sẽ tích điện âm và trở thành ion âm. Quá trình nhiễm điện của các vật chính là quá trình các vật ấy thu thêm hay mất đi một số electron. - Thuyết electron dựa vào sự di ._.chuyển của các electron để giải thích các hiện tượng về điện. + Vật dẫn: là những vật để cho điện tích chuyển động tự do trong tồn bộ thể tích của vật 1.1.4 Chất dẫn điện và chất cách điện: - Theo tính chất dẫn điện, người ta phân biệt hai loại vật: + Điện mơi: là những vật mà điện tích xuất hiện ở đâu chỉ định xứ ở đĩ. - Ngồi ra, cịn cĩ các chất bán dẫn điện là những chất ở điều kiện vật lí này nĩ là điện mơi cịn ở điều kiện vật lí khác nĩ là chất dẫn điện. 1.1.5 Ðịnh luật bảo tồn điện tích: Tổng đại số các điện tích trong một hệ cơ lập là khơng đổi. - Sự nhiễm điện do cọ xát: Ta cĩ thể làm cho các vật nhiễm điện bằng cách cọ xát chúng với nhau. 1.2 Các cách nhiễm điện cho vật: - Sự nhiễm điện do tiếp xúc: Một vật nhiễm điện bằng cách cho nĩ tiếp xúc với một vật khác đã nhiễm điện gọi là sự nhiễm điện do tiếp xúc. - Sự nhiễm điện do hưởng ứng: Khi đặt vật dẫn ở gần một vật mang điện thì trên hai đầu của vật dẫn xuất hiện các điện tích trái dấu. 1.3 Định luật Coulomb: 1.3.1 Điện tích điểm: Điện tích điểm là một vật mang điện cĩ kích thước nhỏ khơng đáng kể so với khoảng cách từ điện tích đĩ tới những điểm hoặc những vật mang điện khác mà ta đang khảo sát. 1 2 3 q qF k r r =   1.3.2 Định luật Coulomb: - Tương tác tĩnh điện: Các điện tích luơn luơn tương tác với nhau: Các điện tích cùng dấu đẩy nhau, các điện tích khác dấu hút nhau. Tương tác giữa các điện tích đứng yên được gọi là tương tác tĩnh điện (hay tương tác Coulomb) - Định luật Coulomb: Lực tương tác giữa hai điện tích điểm, đứng yên tương đối với nhau trong chân khơng tỉ lệ với tích độ lớn của hai điện tích và tỉ lệ nghịch với bình phương khoảng cách giữa chúng. Lực tương tác cĩ phương nằm trên đường thẳng vạch qua hai điện tích điểm, là lực đẩy nếu hai điện tích cùng loại, là lực hút nếu hai điện tích khác loại. Trong đĩ: q1, q2 0 1 4πε : giá trị đại số của hai điện tích (C) r: khoảng cách giữa hai điện tích (m) k: hệ số tỉ lệ phụ thuộc vào hệ đơn vị k = = 9.109 2 2 .N m C , với ε0 = 8,86.10-12 C2/N.m2 gọi là hằng số điện. (a) q1, q2 cùng dấu (b) q1, q2 1 2 3 0 1 4 q qF r rπε ε =   trái dấu Trong mơi trường điện mơi, lực tương tác giữa các điện tích giảm đi ε so với lực tương tác giữa chúng trong chân khơng. ε: Độ thẩm điện mơi tỉ đối (hay hằng số điện mơi ) của mơi trường, đặc trưng cho tính chất điện của mơi trường. 1.3.3 Nguyên lý chồng chất: Giả sử cĩ một hệ điện tích điểm q1, q2…,qn được phân bố gián đoạn trong khơng gian và một điện tích q0 đặt trong khơng gian đĩ. Gọi F1, F2,…,Fn lần lượt là các lực tác dụng của q1, q2…,qn lên điện tích q0. Các lực này được xác định bởi định luật Coulomb. Khi đĩ, lực tổng hợp tác dụng lên điện tích q0 n 1 2 n i i 1 F F F ... F F = = + + + =∑      sẽ là: Ðịnh luật Coulomb và nguyên lí chồng chất các lực điện, về nguyên tắc, cho phép ta tính được lực tương tác giữa các vật thể mang điện cĩ kích thước, hình dạng và vị trí tương đối bất kì. II. ĐIỆN TRƯỜNG – CƯỜNG ĐỘ ĐIỆN TRƯỜNG: 2.1 Điện trường: Điện trường là mơi trường vật chất đặc biệt bao quanh các điện tích mà bất cứ điện tích nào khác đặt trong nĩ đều chịu một lực tác dụng. Vận tốc lan truyền tương tác trong điện trường đúng bằng vận tốc ánh sáng. 2.2 Vectơ cường độ điện trường: 2.2.1 Định nghĩa 0 FE q =   : Vectơ cường độ điện trường tại một điểm là một đại lượng đặc trưng cho điện trường về phươn g diện tác dụng lực, cĩ trị vectơ bằng lực tác dụng của điện trường lên một đơn vị điện tích dương đặt tại điểm đĩ. Trong hệ đơn vị SI, cường độ điện trường được tính bằng vơn trên mét V m       E  2.2.2 Điện trường của một điện tích điểm: - Vectơ cường độ điện trường gây ra bởi điện tích điểm q tại điểm M cách q một khoảng r: 3 0 1 4 qE r rπε ε =   + Nếu q là điện tích dương (q>0), thì vectơ cường độ điện trường E  do nĩ gây ra sẽ cùng hướng với bán kính vectơ r  nghĩa là E  hướng ra xa điện tích q. + Nếu q là điện tích âm (q<0), thì vectơ cường độ điện trường E  do nĩ gây ra sẽ ngược hướng với bán kính vectơ r  nghĩa là E  hướng vào điện tích q. - Cường độ điện trường tại điểm M tỉ lệ thuận với độ lớn của điện tích q và tỉ lệ nghịch với bình phương khoảng cách từ điểm đang xét tới điện tích q: 2 0 1 4 q E rπε ε = 2.2.3 Điện trường của một hệ điện tích điểm - Nguyên lý chồng chất điện trường - Nguyên lí chồng chất của điện trường: "Vectơ cường độ điện trường gây bởi một hệ điện tích điểm tại một điểm nào đĩ bằng tổng các vectơ cường độ điện trường gây ra bởi từng điện tích điểm của hệ tại điểm đĩ.” = = + + + =∑      n 1 2 n i i 1 E E E ... E E Trong đĩ: E  là vectơ cường độ điện trường gây ra bởi hệ điện tích điểm iE  là vectơ cường độ điện trường gây ra bởi điện tích qi dE  . - Trường hợp hệ điện tích được phân bố liên tục (chẳng hạn một vật mang điện cĩ kích thước bất kì): Ta tưởng tượng chia vật mang điện thành những phần nhỏ, sao cho mỗi phần mang điện tích dq cĩ thể coi như là một điện tích điểm. Gọi là vectơ cường độ điện trường do điện tích dq gây ra tại một điểm M cách dq một khoảng r thì vectơ cường độ điện trường gây ra bởi vật mang điện tại M là: 2 0toan bo vat toan bo vat 1 dq rE dE 4 r r = = πε ε∫ ∫    + Nếu vật mang điện là một dây (C) tích điện đều thì: 2 0( ) 1 4C dl rE r r λ πε ε = ∫   Với λ là mật độ điện dài của dây (C). + Nếu vật mang điện là một mặt (S) tích điện đều thì: 2 0 1 4S dS rE r r σ πε ε = ∫   Với σ là mật độ điện mặt của (S). + Nếu vật mang điện là một khối τ tích điện đều thì: 2 0 1 4 d rE r rτ ρ τ πε ε = ∫   Với ρ là mật độ điện khối của vật. 2.3 Lưỡng cực điện đặt trong điện trường: 2.3.1 Định nghĩa: Lưỡng cực điện là một hệ gồm hai điện tích điểm cĩ độ lớn bằng nhau nhưng trái dấu - q và +q (q> 0), cách nhau một đoạn l rất nhỏ so với khoảng cách từ lưỡng cực điện tới những điểm đang xét của trường . 2.3.2 Vectơ momen lưỡng cực điện: Để đặc trưng cho tính chất điện của lưỡng cực người ta dùng đại lượng vectơ momen lưỡng cực điện hay momen điện của lưỡng cực kí hiệu là  ep =   ep ql Trong đĩ: +  l là một vec tơ hướng từ -q sang +q, cĩ độ dài bằng khoảng cách l giữa –q và +q + Đường thẳng nối hai điện tích được gọi là trục của lưỡng cực điện. 2.3.3 Lưỡng cực điện trong điện trường: 2.3.3.1 Trường hợp 1: Lưỡng cực điện đặt trong điện trường đều: - Giả sử lưỡng cực điện ep  được đặt trong điện trường đều 0E  và nghiêng với đường sức điện trường một gĩc α . - Lưỡng cực điện sẽ chịu một ngẫu lực 1F  và 2F  cĩ cánh tay địn bằng sinl α . 1 0F qE=   2 0F qE= −   - Momen µ  của ngẫu lực: 1 0 0l F l qE ql Eµ = ∧ = ∧ = ∧        Hay 0ep Eµ = ∧    µ  cĩ: Độ lớn: 0 sinep Eµ α= Phương: Vuơng gĩc với mặt phẳng xác định bởi l  và 0E  Chiều: Cĩ chiều sao cho ep  , 0E  và µ  theo thứ tự lập thành tam diện thuận. - Ngẫu lực này cĩ tác dụng làm cho lưỡng cực quay trong điện trường sao cho vectơ ep  và 0E  song song với nhau. Vị trí cân bằng của lưỡng cực là vị trí ở đĩ momen ngẫu lực bằng khơng ứng với α = 0 hay α =π. Vị trí α = 0 là vị trí cân bằng bền, với α =π ta cĩ trạng thái cân bằng khơng bền vì chỉ cần lưỡng cực quay lệch khỏi vị trí đĩ một chút là sẽ xuất hiện ngay momen ngẫu lực làm nĩ lệch thêm khỏi vị trí này. 2.3.3.2 Trường hợp 2: Lưỡng cực điện đặt trong điện trường khơng đều: - Khi đặt lưỡng cực điện trong điện trường, xuất hiện momen quay làm lưỡng cực điện cĩ xu thế quay về vị trí cân bằng bền. α l - Lưỡng cực điện chịu tác dụng của 2 lực 1F  và 2F  với: 1 1F qE=   2 2F qE= −   Lực tổng hợp tác dụng lên lưỡng cực điện: 1 2 1 2 1 2( )F F F qE qE q E E= + = − = −        Giả sử E1>E2 F   cùng chiều với 1E  Kết quả: Lưỡng cực điện bị hút về phía cĩ điện trường mạnh. III. ĐIỆN THƠNG - ĐỊNH LUẬT GAUSS: 3.1 Đường sức điện trường: - Định nghĩa: Đường sức điện trường là đường mà tiếp tuyến với nĩ tại mỗi điểm trùng với phương của vectơ cường độ điện trường tại điểm đĩ, chiều của đường sức điện trường là chiều của vec tơ cường độ điện trường. - Qui ước: Vẽ số đường sức điện trường qua một đơn vị diện tích đặt vuơng gĩc với đường sức bằng cường độ điện trường E (tại nơi đặt điện trường). Nơi nào điện trường mạnh thì số đường sức dày, và thưa ở vùng cĩ điện trường yếu. - Tập hợp các đường sức điện trường được gọi là phổ đường sức điện trường hay điện phổ. - Các đường sức điện trường bao giờ cũng xuất phát từ các điện tích dương, tận cùng trên các điện tích âm, đi đến vơ cùng hoặc đi ra vơ cùng, chúng luơn luơn là những đường cong khơng khép kín và bị hở tại các điện tích. - Các đường sức điện trường khơng cắt nhau. Điện trường của hai điện tích điểm cùng độ lớn và (a) cùng dấu, (b) trái dấu 3.2 Điện thơng: 3.2.1 Vectơ cảm ứng điện : 3.2.1.1 Vectơ cảm ứng điện: - Để mơ tả điện trường, ngồi vectơ cường độ điện trường E  , người ta cịn dùng một đại lượng vật lí khác, khơng phụ thuộc vào tính chất của mơi trường gọi là vectơ cảm ứng điện D  : oD E= εε   Trong đĩ độ lớn của  D được gọi là cảm ứng điện bằng: 0D Eεε= - Vectơ cảm ứng điện D  do điện tích điểm q gây ra tại một điểm cách q một khoảng r được xác định bởi: 24 q rD r rπ =   24 q D rπ = - Trong hệ SI, cảm ứng điện được đo bằng Coulomb trên met vuơng(C/m2 3.2.1.2. Đường cảm ứng điện: ) - Định nghĩa: Đường cảm ứng điện là đường cong mà tiếp tuyến tại mỗi điểm của nĩ trùng với phương của vectơ D  , chiều của đường cảm ứng điện là chiều của D  . Số đường cảm ứng điện vẽ qua một đơn vị diện tích đặt vuơng gĩc với đường cảm ứng điện tỉ lệ với giá trị của cảm ứng điện D. - Khi đi qua mặt phân cách của hai mơi trường khác nhau, phổ các đường cảm ứng điện là liên tục. 3.2.2 Thơng lượng điện trường: 3.2.2.1 Định nghĩa: Thơng lượng điện trường dφE E  qua diện tích dS là đại lượng cĩ giá trị bằng tích của diện tích dS với hình chiếu vectơ cường độ điện trường lên vectơ diện tích dS  ( dS  hướng theo pháp tuyến n  của dS và cĩ độ lớn bằng chính diện tích dS đĩ): Φ = = α  Ed E.dS E.dS.cos Trong đĩ, α là gĩc hợp bởi E  và dS  Điện thơng (hay thơng lượng điện trường) qua diện tích S: dS  E  α Điện thơng là một đại lượng đại số, dấu của nĩ phụ thuộc vào gĩc α . Đối với mặt kín ta luơn chọn chiều của n  là chiều hướng ra ngồi mặt đĩ. 3.2.2.2 Ý nghĩa: Thơng lượng điện trường cho ta biết số đường sức điện trường qua diện tích dS. 3.2.3 Thơng lượng cảm ứng điện (Thơng lượng điện cảm): 3.2.3.1 Định nghĩa: Thơng lượng điện cảm dφD D  qua diện tích dS là đại lượng cĩ giá trị bằng tích của diện tích dS với hình chiếu vectơ điện cảm lên vectơ diện tích dS  . Φ = = α  Dd D.dS DdScos Trong đĩ, α là gĩc hợp bởi D  và dS  Thơng lượng điện cảm qua diện tích S: Φ = ∫   D (S) D.dS 3.2.3.2 Ý nghĩa: Thơng lượng điện cảm cho ta biết số đường cảm ứng điện qua diện tích dS. 3.3 Ðịnh lí Ostrogradski – Gauss: 3.3.1 Phát biểu: Thơng lượng điện cảm qua một mặt kín bằng tổng đại số các điện tích chứa trong mặt kín đĩ. Φ = =∑∫   D i i(S) D.dS q Hay: " Điện thơng qua một mặt kín bằng tổng đại số các điện tích nằm chứa trong mặt kín đĩ chia cho oεε " Φ = = εε ∑ ∫    i i E o(S) q E.dS 3.3.2 Dạng vi phân của định lí Ostrogradski- Gauss: Φ = ∫   E (S) E.dS dS   D α Nếu điện tích trong thể tích (V) giới hạn bởi mặt kín (S) được phân bố liên tục thì ta cĩ thể biểu diễn định lí Ostrogradski- Gauss dưới dạng vi phân: divD ρ=  Trong đĩ, ( , , )x y zρ : Hàm phân bố điện tích trong thể tích (V) IV. CƠNG CỦA LỰC ĐIỆN TRƯỜNG - ĐIỆN THẾ - HIỆU ĐIỆN THẾ : 4.1 Cơng của lực tĩnh điện. Lưu số của điện trường: 4.1.1 Cơng của lực tĩnh điện: Giả sử ta dịch chuyển một điện tích điểm q0 Lực tác dụng lên điện tích q trong điện trường của một điện tích điểm q từ điểm M đến điểm N trên một đường cong (C) bất kì. 0 0F q E=   là: , trong đĩ E  là vectơ cường độ điện trường gây ra bởi điện tích điểm q tại vị trí của q0 ds  . nhỏ : Cơng của lực tĩnh điện trong dịch chuyển vơ cùng 0. .dA F ds q E ds= =     Hay 00 3 2 0 0 . cos 4 4 q qqdA q r ds ds r r α πε ε πε ε = =  Trong đĩ α là gĩc giữa bán kính vectơ r  và ds  . 0 2 04 q q drdA rπε ε = với cosdr ds α= Cơng của lực tĩnh điện trong sự chuyển dời điện tích q0 0 0 2 0 . 4 N M rN MN M r q q drA q E ds rπε ε = =∫ ∫   từ M tới N: 0 0 2 0 0 1 4 4 NN MM rr MN rr q q q qdrA r rπε ε πε ε  = = −  ∫ 0 0 04 4 MN M N q qA q r rπε ε πε ε   = −     Cơng của lực điện trường khơng phụ thuộc dạng đường đi mà chỉ phụ thuộc vào điểm đầu và điểm cuối. Giả sử điện trường do n điện tích điểm gây ra, thì cơng của lực điện trường tổng hợp trong chuyển dời MN là: 0 1 10 04 4 n n i i MN i iiM iN q qA q r rπε ε πε ε= =   = −    ∑ ∑ Trong đĩ: iF  là lực tác dụng của điện tích qi lên điện tích dịch chuyển q0. qi : điện tích điểm thứ i. riM : khoảng cách từ điện tích điểm qi đến điểm M riN : khoảng cách từ điện tích điểm qi đến điểm N α ds  F  Nếu ta dịch chuyển q 0 theo một đường cong kín bất kì thì cơng của lực tĩnh điện trong dịch chuyển đĩ sẽ bằng khơng. Vậy trường tĩnh điện là một trường thế. 4.1.2 Lưu số của điện trường: - Cơng của lực điện trường dịch chuyển điện tích q0 0 0. . . N N N M M M A F ds q E ds q E ds= = =∫ ∫ ∫       từ MN dọc theo đường cong (C):  0 . N M A E ds q = ∫   . Đây được gọi là lưu số của vectơ cường độ điện trường. - Định nghĩa: Lưu số của vectơ cường độ điện trường là cơng của lực điện trường làm dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm này đến điểm kia trong điện trường. Lưu số của vectơ cường độ điện trường dọc theo một đường cong kín bằng khơng. . 0E ds =∫    4.2 Thế năng của một điện tích trong điện trường: Điện trường là một trường thế nên cơng của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển một điện tích q0 WdA d= − trong điện trường cũng bằng độ giảm thế năng W của điện tích đĩ trong điện trường. Trong một chuyển dời nguyên tố ds, ta cĩ:  Trong chuyển dời hữu hạn từ điểm M đến điểm N trong điện trường: N N M N M M W=W WMNA dA d= = − −∫ ∫ Mà ta cĩ: 0 0 0 04 4 MN M N q q q qA r rπε ε πε ε = −  0 0M N 0 0 W W 4 4M N q q q q r rπε ε πε ε − = − Vậy thế năng của điện tích q0 0 0 W 4 q q C rπε ε = + đặt trong điện trường của điện tích điểm q và cách điện tích này một đoạn r là: Qui ước chọn thế năng của điện tích điểm q0 0 0 W 4 q q C πε ε∞ = + ∞ khi nĩ ở cách xa q vơ cùng bằng khơng, khi đĩ:  W 0C ∞= =  0 0 W 4 q q rπε ε = Nếu q0, q cùng dấu, thế năng tương tác của chúng dương. q0, q trái dấu, thế năng tương tác của chúng âm. Sự phụ thuộc của thế năng tương tác của hệ hai điện tích vào khoảng cách giữa chúng được biểu diễn bởi đồ thị: Áp dụng nguyên lí chồng chất điện trường, thế năng của điện tích q0 n 0 i i=1 1 0 W W 4 n i i i q q rπε ε= = =∑ ∑ trong điện trường của hệ điện tích điểm: Trong đĩ: ri là khoảng cách từ điện tích q0 đến điện tích qi Thế năng của điện tích điểm q0 M 0W . M q E ds ∞ = ∫   trong một điện trường bất kì: Vậy: Thế năng của điện tích điểm q0 4.3 Điện thế - Hiệu điện thế: tại một điểm trong điện trường là một đại lượng cĩ giá trị bằng cơng của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển điện tích đĩ từ điểm đang xét ra xa vơ cùng. 4.3.1 Điện thế: - Cơng thức: 0 .MM M AV E ds q ∞ ∞= = ∫   - Định nghĩa: Điện thế tại một điểm trong điện trường là đại lượng đặc trưng cho điện trường về khả năng sinh cơng, cĩ giá trị bằng cơng của lực điện trường làm dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm đĩ ra xa vơ cùng. - Giá trị của điện thế phụ thuộc vào vị trí gốc thế năng mà ta chọn. - Điện thế của điện trường gây ra bởi một điện tích điểm q tại điểm cách điện tích q một khoảng r bằng: 04 qV rπε ε = Điện thế của điện trường gây ra bởi một hệ điện tích điểm q1, q2,…,qn 1 1 04 n n i i i i i qV V rπε ε= = = =∑ ∑ tại một điểm nào đĩ trong điện trường bằng: Với ri là khoảng cách từ điểm đang xét tới điện tích q 0 1 4 dqV dV rπε ε = =∫ ∫ i Điện thế của điện trường gây ra bởi một hệ điện tích được phân bố liên tục trong khơng gian: Trong đĩ r là khoảng cách từ điểm đang xét tới điện tích điểm dq. - Ta cĩ: M N 0W W ( )MN M NA q V V= − = − Vậy: Cơng của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển điện tích điểm q 0, từ điểm M tới điểm N trong điện trường bằng tích số của điện tích q0 với hiệu điện thế giữa hai điểm M và N đĩ. 4.3.2. Hiệu điện thế: - Cơng thức: M N 0W W ( )MN M NA q V V= − = −  0 MN M N AV V q − = - Định nghĩa: Hiệu điện thế giữa hai điểm M và N trong điện trường là một đại lượng về trị số bằng cơng của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm M tới điểm N. - Trong hệ SI, đơn vị của đhiệu điện thế là vơn (V) 11 1 JV C = ⇒ 1 Von là hiệu điện thế giữa hai điểm trong điện trường mà cơng của lực điện trường làm dịch chuyển một đơn vị điện tích dương từ điểm này đến điểm kia là 1J. 4.3.3 Mặt đẳng thế: 4.3.3.1 Định nghĩa: Mặt đẳng thế là quỹ tích của những điểm cĩ cùng điện thế. 4.3.3.2. Tính chất của mặt đẳng thế: - Các mặt đẳng thế khơng cắt nhau, vì tại mỗi điểm của điện trường chỉ cĩ một giá trị xác định của điện thế. - Cơng của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển một điện tích q0 trên một mặt đẳng thế bằng khơng. Chứng minh: Giả sử ta dịch chuyển điện tích q0 0 ( )MN M NA q V V= − từ điểm M đến điểm N trên một mặt đẳng thế thì cơng của lực tĩnh điện bằng: Vì M và N nằm trên cùng một mặt đẳng thế nên M NV V=  0MNA = - Vectơ cường độ điện trường tại một điểm trên mặt đẳng thế vuơng gĩc với mặt đẳng thế tại điểm đĩ. Chứng minh: Giả sử ta dịch chuyển một điện tích q0 ds  từ một điểm M nào đĩ của mặt đẳng thế một đoạn nhỏ bất kì trên mặt đẳng thế. Cơng của lực tĩnh điện trong chuyển dời ds  bằng: 0 .dA q E ds=   . 0E ds =   E  vuơng gĩc với ds  . Vì ds  lấy bất kì trên mặt đẳng thế nên E  vuơng gĩc với mọi ds  vẽ qua điểm M. 4.4 Liên hệ giữa vectơ cường độ điện trường và điện thế: Xét hai điểm M và N rất gần nhau trong điện trường E  . Giả sử điện thế tại các điểm M và N lần lượt bằng V và V+dV, với dV>0. Cơng của lực tĩnh điện khi dịch chuyển một điện tích q 0 0dA q Eds=  từ điểm M tới điểm N: ( với ds MN=   ) Mà [ ]0 0( )dA q V V dV q dV= − + = −  .E ds dV= −    S. . os E .E ds c ds dVα = = − (*) Trong đĩ, cosSE E α= là hình chiếu của vectơ cường độ điện trường trên phương của ds  ; -dV là độ giảm điện thế trên đoạn ds. Vì dV>0  os <0c α α là gĩc tù.  Vectơ cường độ điện trường luơn luơn hướng theo chiều giảm của điện thế. (*) S dVE ds = − Vậy: Hình chiếu của vectơ cường độ điện trường trên một phương nào đĩ về trị số bằng độ giảm điện thế trên một đơn vị dài của phương đĩ. Trong hệ trục tọa độ Descartes: x y z V V VE iE jE kE i j k x y z  ∂ ∂ ∂ = + + = − + + ∂ ∂ ∂          E gradV= −   Vậy: Vectơ cường độ điện trường tại một điểm bất kì trong điện trường bằng và ngược dấu với gradien của điện thế tại điểm đĩ. * Đơn vị cường độ điện trường: dVE dn = [ ] 1 1 V VE m m = = Vơn trên met là cường độ điện trườ ng của một điện trường đều mà hiệu điện thế dọc theo mỗi met đường sức là 1 Vơn. α α PHẦN B: PHƯƠNG PHÁP GIẢI BÀI TẬP I. ĐIỆN TÍCH – TƯƠNG TÁC GIỮA CÁC ĐIỆN TÍCH: 1.1 Dạng 1: Tính lực tương tác tĩnh điện giữa hai điện tích điểm theo định luật C oulomb: Trong chân khơng: =   1 2 3 q qF k r r Trong đĩ: q1, q2 0 1 4πε : giá trị đại số của hai điện tích (C) r: khoảng cách giữa hai điện tích (m) k: hệ số tỉ lệ phụ thuộc vào hệ đơn vị k = = 9.109 2 2 .N m C , với ε0 = 8,86.10-12 C2/N.m2  F gọi là hằng số điện. Trong mơi trường điện mơi : = πε ε  1 2 3 0 q q1 r 4 r Trong đĩ, ε là hằng số điện mơi tương đối của mơi trường 1.2 Dạng 2: Tính lực tương tác do một hệ điện tích điểm tác dụng lên điện tích điểm q0 n 1 2 n i i 1 F F F ... F F = = + + + =∑      : Trong đĩ: 1F  , 2F  , …, nF  lần lượt là các lực tác dụng của q1, q2,…,qn lên điện tích q0 II. ĐIỆN TRƯỜNG – CƯỜNG ĐỘ ĐIỆN TRƯỜNG: . Để xác định lực tương tác tĩnh điện giữa hai vật mang điện bất kì, ta coi mỗi vật mang điện như một hệ vơ số các điện tích điểm, sau đĩ áp dụng nguyên lý chồng chất của điện trường Lưu ý: Định luật Coulomb chỉ được áp dụng cho điện tích điểm. 2.1 Dạng 1: Tính cường độ đ iện trường gây ra bởi một điện tích điểm tại một điểm cách nĩ một khoảng r 3 qE k r r =   hay 3 04 qE r rπεε =   2.2 Dạng 2: Tính cường độ điện trường gây ra bởi một hệ điện tích điểm: Áp dụng nguyên lý chồng chất điện trường: = = + + + + =∑      1 2 3 n n i i 1 E E E E ...... E E Trong đĩ, iE  là vectơ cường độ điện trường do điện tích q i = = πε ε∫ ∫    2 0vat vat 1 dq rE dE 4 r r gây ra tại điểm đang xét. 2.3 Dạng 3: Tính cường độ điện trường điện trường gây ra bởi một vật mang điện Để tính cường độ điện trường gây ra bởi một vật mang điện, ta chia vật thành nhiều phần nhỏ sao cho điện tích dq mang trên mỗi phần đĩ cĩ thể coi là điện tích điểm, sau đĩ áp dụng nguyên lý chồng chất điện trường: + Nếu vật mang điện là một dây (C) tích điện đều thì: 2 0( ) 1 4C dl rE r r λ πε ε = ∫   Với dq dl λ = là mật độ điện dài của dây, biểu thị lượng điện tích trên một đơn vị dài của dây. + Nếu vật mang điện là một mặt (S) tích điện đều thì: 2 0 1 4S dS rE r r σ πε ε = ∫   Với dq dS σ = là mật độ điện mặt của (S), biểu thị lượng điện tích trên một đơn vị diện tích của (S). + Nếu vật mang điện là một khối τ tích điện đều thì: 2 0 1 4 d rE r rτ ρ τ πε ε = ∫   Với dq d ρ τ = là mật độ điện khối của vật, biểu thị lượng điện tích trên một đơn vị thể tích của vật. 2.4 Dạng 4: Xét sự chuyển động của một hạt mang điện trong điện trường: – Phân tích chuyển động của hạt mang điện dưới tác dụng của lực điện trường. – Dùng các định luật cơ học để tìm các đại lượng yêu cầu III. ĐIỆN THƠNG - ĐỊNH LÝ GAUSS : 3.1 Dạng 1: Tính thơng lượng cảm ứng điện và thơng lượng điện trường qua một mặt kín bất kì dựa vào định lí Gauss: Φ = =∑∫   D i i(S) D.dS q Φ = = εε ∑ ∫    i i E o(S) q E.dS Trong đĩ, i ∑ là phép lấy tổng đại số các điện tích chứa trong mặt kín đĩ. 3.2 Dạng 2: Xác định D  , E  gây ra bởi các vật mang điện cĩ tính đối xứng. 1.Xác định yếu tố đối xứng của hệ điện tích, từ đĩ cĩ thể suy ra một số đặc điểm của điện trường, chẳng hạn cĩ thể dự đốn hướng của vectơ E  tại mỗi điểm, sự biến thiên độ lớn của nĩ theo vị trí trong khơng gian. 2 Chọn một mặt kín (S) là mặt Gauss, chứa điểm mà tại đĩ ta cần xác định E. Người ta thường chọn mặt Gauss sao cho cĩ thể tính tốn dễ dàng điện thơng qua S. Muốn vậy nĩ phải chứa yếu tố đối xứng của hệ điện tích 3.Áp dụng cơng thức của định lý Gauss để xác định E  hoặc D  tùy theo yêu cầu của bài. Nếu điện tích trong thể tích (V) giới hạn bởi mặt kín (S) được phân bố liên tục với hàm phân bố điện tích ( , , )x y zρ thì ta sử dụng định lí Gauss dạng vi phân: divD ρ=  Với yx DD DzdivD x y z ∂∂ ∂ = + + ∂ ∂ ∂  IV.CƠNG CỦA LỰC ĐIỆN TRƯỜNG- ĐIỆN THẾ- HIỆU ĐIỆN THẾ: 4.1 Cơng của lực điện trường: 4.1.1 Dạng 1: Tính cơng của lực tĩnh điện trong sự dịch chu yển điện tích q0 0 0 0 04 4 MN M N q q q qA r rπε ε πε ε = − từ M đến N trong điện trường gây ra bởi điện tích điểm q: Trong đĩ: rM: Khoảng cách từ q đến M rN: Khoảng cách từ q đến N 4.1.2 Dạng 2: Tính cơng của lực tĩnh điện trong sự dịch chuyển điện tích q 0 0 0 1 10 04 4 n n i i MN i iiM iN q q q qA r rπε ε πε ε= = = −∑ ∑ từ M đến N trong điện trường gây ra bởi n điện tích điểm : Trong đĩ: qi : điện tích điểm thứ i. riM : khoảng cách từ điện tích điểm qi đến điểm M riN : khoảng cách từ điện tích điểm qi 04 qV rπε ε = đến điểm N 4.2 Điện thế: 4.2.1 Dạng 1: Tính điện thế của điện trường gây ra bởi một điện tích điểm q tại một điểm nào đĩ: Trong đĩ, r: Khoảng cách từ điện tích điểm q tới điểm đang xét. 4.2.2 Dạng 2: Tính điện thế của điện trường gây ra bởi một hệ điện tích điểm tại một điểm nào đĩ: 1 1 04 n n i i i i i qV V rπε ε= = = =∑ ∑ Với ri là khoảng cách từ điểm đang xét tới điện tích qi 4.2.3 Dạng 3: Tính điện thế của điện trường gây ra bởi một vật mang điện. Ta lấy trên vật một phần tử điện tích dq, mỗi dq gây ra tại M một điện thế dV thì điện thế tại M là: 0 1 4 dqV dV rπε ε = =∫ ∫ Trong đĩ r là khoảng cách từ điểm đang xét tới điện tích điểm dq. 4.2.4 Dạng 4: Tính điện thế hoặc cường độ điện trường dựa vào mối liên hệ giữa vectơ cường độ điện trường và điện thế: = −   E gradV Chọn trục tọa độ sao cho: E( ,0,0)xE  x dVE dx = −  dVE dx = − Lấy tích phân 2 vế ta được: (2) (1) V Edx C= − +∫ 4.2 Hiệu điện thế: - Xác định cường độ điện trường tại hai điểm cần tính hiệu điện thế. - Áp dụng cơng thức: dVE dx = − Lấy tích phân 2 vế ta được: 2 1 12 1 2 r r U V V Edx= − = ∫ CHƯƠNG III QUY HOẠCH BÀI TRẮC NGHIỆM CHO CHƯƠNG ĐIỆN TRƯỜNG- ĐIỆN THẾ - HIỆU ĐIỆN THẾ I. NHẬN XÉT CHƯƠNG ĐIỆN TRƯỜNG - ĐIỆN THẾ - HIỆU ĐIỆN THẾ: Đây là chương đầu tiên của chương trình điện đại cương. Ngồi những kiến thức SV đã được học ở phổ thơng như: khái niệm điện tích nguyên tố, thuyết electron, chất dẫn điện, chất cách điện, các cách nhiễm điện cho vật, định luật Coulomb, định luật bảo tồn điện tích, điện trường, điện thế, hiệu điện thế…, chương này cịn cung cấp cho SV những kiến thức nâng cao hơn dựa trên nền tảng những kiến thức đã biết. Cấu trúc chương trình gồm những phần chính như sau: - Phần 1: Điện tích- Tương tác giữa các điện tích - Phần 2: Điện trường- Cường độ điện trường - Phần 3: Điện thơng- Định lí Gauss - Phần 4: Điện thế- Hiệu điện thế. Các kiến thức trong bốn phần trên liên hệ chặt chẽ, bổ sung cho nhau. Từ sự tương tác giữa các điện tích, đưa ra khái niệm điện trường . Khái niệm điện thơng được suy ra từ mơ hình đường sức. Định lí Gauss bổ sung một cách khác dễ dàng hơn trong việc tính cường độ điện trường thay vì sử dụng nguyên lí chồng chất điện trường. Hay từ biểu thức tính cơng của lực tĩnh điện đưa ra biểu thức thế năng của một điện tích trong điện trường, từ đĩ suy ra biểu thức tính điện thế, hiệu điện thế… Nhìn chung, kiến thức trong chương này tương đối đơn giản nhưng hết sức quan trọng trong chương trình điện đại cương cũng như áp dụng cho điện động lực học sau này. Do đĩ, SV cần phải nắm vững kiến thức để cĩ thể học tốt các phần sau. Cũng chính vì vậy mà việc khảo sát xem SV cĩ nắm vững kiến thức khơng là rất cần thiết. II. Ý TƯỞNG DỰ ĐỊNH KHẢO SÁT: - Khả năng nhớ, hiểu các định nghĩa, tính chất, cơng thức, đơn vị của các khái niệm : điện tích điểm, chất dẫn điện, chất cách điện, điện trường, đường sức điện trường , thơng lượng điện trường, thơng lượng điện cảm, thế năng, điện thế, hiệu điện thế, mặt đẳng thế, lưu số điện trường. - Giải thích được một số cách nhiễm điện của các vật. - Phát biểu và áp dụng định luật Coulomb, định lí Gauss để giải một số bài tốn. - Chứng minh, giải thích được các tính chất cơ bản của điện trường, lưu số điện trường, mặt đẳng thế, và gradient điện thế. - Khả năng vận dụng các cơng thức của chương để giải bài tập. Cụ thể : 1. Điện tích- Tương tác giữa các điện tích : - Nhớ và hiểu các khái niệm : điện tích điểm, điện tích nguyên tố, ion dương, ion âm. - Phân biệt chất dẫn điện, chất cách điện. - Phân biệt, giải thích các cách nhiễm điện cho vật. - Phát biểu và hiểu được định luật Coulomb, định luật bảo tồn điện tích. - Vận dụng được định luật bảo tồn điện tích để giải bài tập. - Vận dụng được định luật Coulomb để tìm lực tương tác tĩnh điện giữa hai điện tích điểm. - Vận dụng được nguyên lí chồng chất để tìm lực tĩnh điện tổng hợp do một hệ các điện tích điểm hay một vật mang điện tác dụng lên một điện tích điểm. 2. Điện trường - Cường độ điện trường : - Phát biểu và hiểu khái niệm điện trường. - Định nghĩa và viết được biểu thức tính cường độ điện trường. - Vận dụng cơng thức để tính cường độ điện trường gây ra bởi một điện tích điểm, một hệ các điện tích điểm, một vật mang điện gây ra. - Dự đốn chuyển động của một điện tích điểm, một lưỡng cực điện đặt trong điện trường. 3. Điện thơng – Định lí Gauss : - Phát biểu và hiểu được định nghĩa, tính chất của đường sức điện trường. - Mơ tả được hình ảnh đường sức điện trường của một điện tích điểm, một hệ điện tích điểm. - Hiểu được khái niệm vectơ cảm ứng điện, đường cảm ứng điện. - Phát biểu và hiểu được khái niệm, ý nghĩa của điện thơng. - Phân biệt thơng lượng cảm ứng điện và thơng lượng điện trường. - Phát biểu và viết được biểu thức định lí Gauss. - Vận dụng được định lí Gauss để tính điện thơng qua một mặt kín, cường độ điện trường gây ra bởi các vật mang điện cĩ tính đối xứng. 4. Điện thế - Hiệu điện thế : - Chứng minh cơng của lực tĩnh điện khơng phụ thuộc vào dạng đường đi mà chỉ phụ thuộc vào điểm đầu và điểm cuối. Từ đĩ, suy ra tính chất thế của trường tĩnh điện. - Vận dụng cơng thức và._. TRAC NGHIEM # Trac nghiem : # Ten nhom : * So cau TN = 48 * So bai TN = 143 Thuc hien xu ly luc 20g12ph Ngay 20/ 4/2010 ================================================= * CAC CHI SO VE TRUNG BINH va DO KHO tinh tren diem TOAN BAI TRAC NGHIEM Trung Binh = 20.056 Do lech TC = 6.455 Do Kho bai TEST = 41.8% Trung binh LT = 30.000 Do Kho Vua Phai = 62.5% --------------------------------------------------------------------------- * HE SO TIN CAY cua BAI TEST (Theo cong thuc Kuder-Richardson co ban) He so tin cay = 0.761 * Sai so tieu chuan cua do luong : SEM = 3.155 --------------------------------------------------------------------------- * BANG DO KHO VA DO PHAN CACH TUNG CAU TRAC NGHIEM *** Mean(cau) = DO KHO(cau) *** Rpbis = DO PHAN CACH(cau) Cau TDcau MEAN(cau) SD(cau) | Mp Mq Rpbis 1 54 0.378 0.486 | 22.444 18.607 0.288 ** 2 66 0.462 0.500 | 22.318 18.117 0.324 ** 3 61 0.427 0.496 | 23.016 17.854 0.396 ** 4 72 0.503 0.502 | 22.889 17.183 0.442 ** 5 89 0.622 0.486 | 21.506 17.667 0.288 ** 6 47 0.329 0.471 | 22.489 18.865 0.264 ** 7 94 0.657 0.476 | 20.553 19.102 0.107 8 51 0.357 0.481 | 23.980 17.880 0.453 ** 9 63 0.441 0.498 | 22.143 18.413 0.287 ** 10 57 0.399 0.491 | 22.772 18.256 0.343 ** 11 94 0.657 0.476 | 21.734 16.837 0.360 ** 12 25 0.175 0.381 | 21.800 19.686 0.124 13 64 0.448 0.499 | 21.891 18.570 0.256 ** 14 57 0.399 0.491 | 21.526 19.081 0.185 * 15 31 0.217 0.414 | 24.161 18.920 0.335 ** 16 79 0.552 0.499 | 22.139 17.484 0.359 ** 17 49 0.343 0.476 | 22.878 18.585 0.316 ** 18 51 0.357 0.481 | 22.157 18.891 0.242 ** 19 47 0.329 0.471 | 22.894 18.667 0.308 ** 20 87 0.608 0.490 | 21.207 18.268 0.222 ** 21 59 0.413 0.494 | 23.068 17.940 0.391 ** 22 51 0.357 0.481 | 22.451 18.728 0.276 ** 23 41 0.287 0.454 | 21.268 19.569 0.119 24 73 0.510 0.502 | 22.260 17.757 0.349 ** 25 27 0.189 0.393 | 24.519 19.017 0.334 ** 26 51 0.357 0.481 | 21.647 19.174 0.184 * 27 55 0.385 0.488 | 22.564 18.489 0.307 ** 28 128 0.895 0.307 | 20.508 16.200 0.204 * 29 80 0.559 0.498 | 22.388 17.095 0.407 ** 30 60 0.420 0.495 | 23.383 17.651 0.438 ** 31 31 0.217 0.414 | 25.581 18.527 0.450 ** 32 99 0.692 0.463 | 21.808 16.114 0.407 ** 33 38 0.266 0.443 | 21.158 19.657 0.103 34 104 0.727 0.447 | 20.913 17.769 0.217 ** 35 30 0.210 0.409 | 21.733 19.611 0.134 36 75 0.524 0.501 | 21.947 17.971 0.308 ** 37 46 0.322 0.469 | 23.891 18.237 0.409 ** 38 54 0.378 0.486 | 22.019 18.865 0.237 ** 39 28 0.196 0.398 | 24.464 18.983 0.337 ** 40 48 0.336 0.474 | 20.458 19.853 0.044 41 61 0.427 0.496 | 22.639 18.134 0.345 ** 42 33 0.231 0.423 | 21.939 19.491 0.160 43 74 0.517 0.501 | 21.757 18.232 0.273 ** 44 66 0.462 0.500 | 21.727 18.623 0.240 ** 45 35 0.245 0.431 | 26.029 18.120 0.527 ** 46 57 0.399 0.491 | 22.175 18.651 0.267 ** 47 74 0.517 0.501 | 21.446 18.565 0.223 ** 48 52 0.364 0.483 | 20.615 19.736 0.066 -------------------------------------------------------------------------- Ghi chu: 1.Y nghia cua he so Rpbis Cac tri so co dau (*) la co y nghia muc xac suat =.05 Cac tri so co dau (**) la co y nghia muc xac suat =.01 2.TDcau(i) = tong diem cau i = so nguoi lam dung cau nay 3.Mp = trung binh tong diem nhung nguoi lam dung cau i Mq = trung binh tong diem nhung nguoi lam sai cau i * BANG DOI DIEM THO RA DIEM TIEU CHUAN RawScores Z-Scores Dtc-11bac Diemlop DTC-5bac 8 -1.868 1.265 1 F 9 -1.713 1.575 2 F 10 -1.558 1.885 2 F 11 -1.403 2.194 2 D 12 -1.248 2.504 3 D 13 -1.093 2.814 3 D 14 -0.938 3.124 3 D 15 -0.783 3.434 3 D 16 -0.628 3.743 4 D 17 -0.473 4.053 4 C 18 -0.318 4.363 4 C 19 -0.164 4.673 5 C 20 -0.009 4.983 5 C 21 0.146 5.292 5 C 22 0.301 5.602 6 C 23 0.456 5.912 6 C 24 0.611 6.222 6 B 25 0.766 6.532 7 B 26 0.921 6.842 7 B 27 1.076 7.151 7 B 28 1.231 7.461 7 B 29 1.386 7.771 8 B 30 1.540 8.081 8 A 31 1.695 8.391 8 A 32 1.850 8.700 9 A 33 2.005 9.010 9 A 34 2.160 9.320 9 A 35 2.315 9.630 10 A 36 2.470 9.940 10 A 37 2.625 10.000 10 A 38 2.780 10.000 10 A 39 2.935 10.000 10 A 40 3.089 10.000 10 A 41 3.244 10.000 10 A 42 3.399 10.000 10 A --------------------------------------------------------------------------- *** HET *** PHỤ LỤC IV KẾT QUẢ PHÂN TÍCH CÂU LẦN 1 BANG PHAN TICH CAC TAN SO LUA CHON TUNG CAU (Item Analysis Results for Observed Responses) =========================================== Trac nghiem : * Ten nhom lam TN : * So cau : 48 * So nguoi : 63 * Xu ly luc 20g53ph * Ngay 20/ 4/2010 =========================================== ........................................................................... *** Cau so : 1 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 19 15 15 14 0 Ti le % : 30.2 23.8 23.8 22.2 Pt-biserial : 0.04 -0.24 0.20 -0.00 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 2 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 8 2 40 13 0 Ti le % : 12.7 3.2 63.5 20.6 Pt-biserial : -0.15 -0.35 0.20 0.04 Muc xacsuat : NS <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 3 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 8 27 13 14 1 Ti le % : 12.9 43.5 21.0 22.6 Pt-biserial : -0.19 0.23 -0.22 0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 4 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 25 8 23 6 1 Ti le % : 40.3 12.9 37.1 9.7 Pt-biserial : -0.05 -0.17 0.07 0.21 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 5 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 32 4 20 7 0 Ti le % : 50.8 6.3 31.7 11.1 Pt-biserial : 0.12 -0.17 0.05 -0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 6 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 43 16 2 2 0 Ti le % : 68.3 25.4 3.2 3.2 Pt-biserial : 0.20 -0.20 -0.02 -0.00 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 7 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 5 16 39 0 Ti le % : 4.8 7.9 25.4 61.9 Pt-biserial : 0.15 -0.09 0.10 -0.11 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 8 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 30 17 8 8 0 Ti le % : 47.6 27.0 12.7 12.7 Pt-biserial : 0.40 -0.31 -0.20 0.01 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 9 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 20 1 5 37 0 Ti le % : 31.7 1.6 7.9 58.7 Pt-biserial : 0.08 -0.03 -0.08 -0.02 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 10 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 6 21 33 0 Ti le % : 4.8 9.5 33.3 52.4 Pt-biserial : 0.19 -0.30 -0.19 0.27 Muc xacsuat : NS <.05 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 11 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 6 49 3 5 0 Ti le % : 9.5 77.8 4.8 7.9 Pt-biserial : -0.35 0.40 -0.17 -0.09 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 12 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 28 24 5 5 1 Ti le % : 45.2 38.7 8.1 8.1 Pt-biserial : 0.20 -0.07 -0.24 0.06 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 13 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 38 11 10 3 1 Ti le % : 61.3 17.7 16.1 4.8 Pt-biserial : 0.28 -0.19 -0.01 -0.17 Muc xacsuat : <.05 NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 14 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 15 3 19 25 1 Ti le % : 24.2 4.8 30.6 40.3 Pt-biserial : -0.19 0.19 -0.10 0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 15 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 0 16 47 0 0 Ti le % : 0.0 25.4 74.6 0.0 Pt-biserial : NA -0.14 0.14 NA Muc xacsuat : NA NS NS NA ........................................................................... *** Cau so : 16 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 18 5 38 2 0 Ti le % : 28.6 7.9 60.3 3.2 Pt-biserial : 0.06 -0.06 0.08 -0.28 Muc xacsuat : NS NS NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 17 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 20 4 13 26 0 Ti le % : 31.7 6.3 20.6 41.3 Pt-biserial : 0.37 0.02 -0.12 -0.25 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.05 .......................................................................... *** Cau so : 18 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 29 24 4 6 0 Ti le % : 46.0 38.1 6.3 9.5 Pt-biserial : -0.13 0.17 0.07 -0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS .......................................................................... *** Cau so : 19 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 22 23 6 12 0 Ti le % : 34.9 36.5 9.5 19.0 Pt-biserial : -0.18 0.07 -0.02 0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 20 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 29 9 13 12 0 Ti le % : 46.0 14.3 20.6 19.0 Pt-biserial : 0.14 -0.14 0.02 -0.06 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 21 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 25 31 3 4 0 Ti le % : 39.7 49.2 4.8 6.3 Pt-biserial : -0.07 0.28 -0.29 -0.19 Muc xacsuat : NS <.05 <.05 NS .......................................................................... *** Cau so : 22 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 28 16 9 9 1 Ti le % : 45.2 25.8 14.5 14.5 Pt-biserial : -0.12 -0.00 -0.06 0.28 Muc xacsuat : NS NS NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 23 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 11 19 16 16 1 Ti le % : 17.7 30.6 25.8 25.8 Pt-biserial : 0.01 -0.08 0.08 -0.07 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 24 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 20 28 7 7 1 Ti le % : 32.3 45.2 11.3 11.3 Pt-biserial : -0.06 0.14 -0.18 -0.00 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 25 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 8 3 4 48 0 Ti le % : 12.7 4.8 6.3 76.2 Pt-biserial : 0.28 -0.25 -0.05 -0.07 Muc xacsuat : <.05 <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 26 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 20 25 7 11 0 Ti le % : 31.7 39.7 11.1 17.5 Pt-biserial : -0.00 0.23 -0.17 -0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 27 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 18 18 1 26 0 Ti le % : 28.6 28.6 1.6 41.3 Pt-biserial : -0.29 -0.17 0.20 0.37 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 28 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 2 4 2 55 0 Ti le % : 3.2 6.3 3.2 87.3 Pt-biserial : -0.19 0.07 -0.21 0.16 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 29 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 34 5 20 4 0 Ti le % : 54.0 7.9 31.7 6.3 Pt-biserial : -0.31 -0.02 0.32 0.05 Muc xacsuat : <.05 NS <.05 NS ........................................................................... *** Cau so : 30 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 19 18 12 14 0 Ti le % : 30.2 28.6 19.0 22.2 Pt-biserial : 0.42 -0.20 -0.25 -0.00 Muc xacsuat : <.01 NS <.05 NS .......................................................................... *** Cau so : 31 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 1 20 20 21 1 Ti le % : 1.6 32.3 32.3 33.9 Pt-biserial : 0.07 0.51 -0.27 -0.23 Muc xacsuat : NS <.01 <.05 NS ........................................................................... *** Cau so : 32 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 6 5 41 11 0 Ti le % : 9.5 7.9 65.1 17.5 Pt-biserial : -0.09 -0.29 0.49 -0.34 Muc xacsuat : NS <.05 <.01 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 33 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 16 24 19 3 1 Ti le % : 25.8 38.7 30.6 4.8 Pt-biserial : 0.11 0.11 -0.33 0.10 Muc xacsuat : NS NS <.01 NS .......................................................................... *** Cau so : 34 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 11 5 13 34 0 Ti le % : 17.5 7.9 20.6 54.0 Pt-biserial : -0.12 -0.06 -0.17 0.27 Muc xacsuat : NS NS NS <.05 .......................................................................... *** Cau so : 35 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 9 19 15 19 1 Ti le % : 14.5 30.6 24.2 30.6 Pt-biserial : 0.15 -0.01 -0.03 -0.02 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 36 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 26 5 16 16 0 Ti le % : 41.3 7.9 25.4 25.4 Pt-biserial : 0.03 0.14 0.01 -0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 37 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 21 12 5 25 0 Ti le % : 33.3 19.0 7.9 39.7 Pt-biserial : -0.06 -0.45 0.12 0.36 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 38 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 22 12 17 11 1 Ti le % : 35.5 19.4 27.4 17.7 Pt-biserial : 0.12 -0.17 -0.03 0.06 Muc xacsuat : NS NS NS NS ....................................................................... *** Cau so : 39 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 13 28 10 12 0 Ti le % : 20.6 44.4 15.9 19.0 Pt-biserial : -0.35 0.15 0.09 0.09 Muc xacsuat : <.01 NS NS NS .......................................................................... *** Cau so : 40 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 12 14 19 17 1 Ti le % : 19.4 22.6 30.6 27.4 Pt-biserial : 0.05 -0.13 0.30 -0.20 Muc xacsuat : NS NS <.05 NS ........................................................................... *** Cau so : 41 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 7 33 9 14 0 Ti le % : 11.1 52.4 14.3 22.2 Pt-biserial : 0.16 0.01 -0.24 0.07 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 42 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 23 5 23 12 0 Ti le % : 36.5 7.9 36.5 19.0 Pt-biserial : -0.04 0.07 0.06 -0.08 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 43 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 18 6 6 33 0 Ti le % : 28.6 9.5 9.5 52.4 Pt-biserial : -0.10 0.07 0.24 -0.09 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 44 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 22 12 14 15 0 Ti le % : 34.9 19.0 22.2 23.8 Pt-biserial : 0.14 -0.16 0.12 -0.12 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 45 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 25 23 9 6 0 Ti le % : 39.7 36.5 14.3 9.5 Pt-biserial : 0.18 -0.23 0.02 0.04 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 46 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 2 30 13 18 0 Ti le % : 3.2 47.6 20.6 28.6 Pt-biserial : -0.05 0.24 -0.14 -0.12 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 47 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 19 24 8 10 2 Ti le % : 31.1 39.3 13.1 16.4 Pt-biserial : -0.04 0.21 -0.04 -0.15 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 48 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 59 1 2 1 0 Ti le % : 93.7 1.6 3.2 1.6 Pt-biserial : 0.27 -0.26 -0.09 -0.13 Muc xacsuat : <.05 <.05 NS NS ........................................................................... *** HET *** LẦN 2 BANG PHAN TICH CAC TAN SO LUA CHON TUNG CAU (Item Analysis Results for Observed Responses) =========================================== Trac nghiem : * Ten nhom lam TN : * So cau : 48 * So nguoi : 143 * Xu ly luc 20g15ph * Ngay 20/ 4/2010 =========================================== ........................................................................... *** Cau so : 1 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 54 35 27 24 3 Ti le % : 38.6 25.0 19.3 17.1 Pt-biserial : 0.29 -0.21 -0.10 -0.03 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 2 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 33 12 66 32 0 Ti le % : 23.1 8.4 46.2 22.4 Pt-biserial : -0.17 -0.08 0.32 -0.17 Muc xacsuat : <.05 NS <.01 <.05 ........................................................................... *** Cau so : 3 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 23 61 29 30 0 Ti le % : 16.1 42.7 20.3 21.0 Pt-biserial : -0.24 0.40 -0.18 -0.09 Muc xacsuat : <.01 <.01 <.05 NS ........................................................................... *** Cau so : 4 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 72 22 29 20 0 Ti le % : 50.3 15.4 20.3 14.0 Pt-biserial : 0.44 -0.28 -0.13 -0.20 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 5 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 89 11 25 17 1 Ti le % : 62.7 7.7 17.6 12.0 Pt-biserial : 0.29 -0.20 -0.07 -0.18 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 6 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 85 47 4 7 0 Ti le % : 59.4 32.9 2.8 4.9 Pt-biserial : -0.13 0.26 -0.13 -0.19 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 7 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 16 30 94 0 Ti le % : 2.1 11.2 21.0 65.7 Pt-biserial : -0.09 -0.04 -0.06 0.11 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 8 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 51 9 25 58 0 Ti le % : 35.7 6.3 17.5 40.6 Pt-biserial : 0.45 0.02 -0.16 -0.33 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 9 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 63 6 3 71 0 Ti le % : 44.1 4.2 2.1 49.7 Pt-biserial : 0.29 -0.09 0.04 -0.26 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 10 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 12 11 63 57 0 Ti le % : 8.4 7.7 44.1 39.9 Pt-biserial : -0.10 -0.11 -0.22 0.34 Muc xacsuat : NS NS <.01 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 11 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 22 94 13 14 0 Ti le % : 15.4 65.7 9.1 9.8 Pt-biserial : -0.18 0.36 -0.16 -0.20 Muc xacsuat : <.05 <.01 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 12 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 51 43 24 25 0 Ti le % : 35.7 30.1 16.8 17.5 Pt-biserial : 0.02 0.01 -0.16 0.12 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 13 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 64 32 24 23 0 Ti le % : 44.8 22.4 16.8 16.1 Pt-biserial : 0.26 -0.09 -0.11 -0.14 Muc xacsuat : <.01 NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 14 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 26 15 45 57 0 Ti le % : 18.2 10.5 31.5 39.9 Pt-biserial : -0.20 -0.02 -0.02 0.19 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 15 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 4 18 31 90 0 Ti le % : 2.8 12.6 21.7 62.9 Pt-biserial : -0.03 -0.02 0.33 -0.26 Muc xacsuat : NS NS <.01 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 16 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 40 16 79 8 0 Ti le % : 28.0 11.2 55.2 5.6 Pt-biserial : -0.30 -0.10 0.36 -0.05 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 NS .......................................................................... *** Cau so : 17 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 49 5 16 73 0 Ti le % : 34.3 3.5 11.2 51.0 Pt-biserial : 0.32 -0.01 -0.05 -0.26 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 18 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 35 51 26 30 1 Ti le % : 24.6 35.9 18.3 21.1 Pt-biserial : -0.05 0.24 -0.03 -0.19 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 19 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 41 34 20 47 1 Ti le % : 28.9 23.9 14.1 33.1 Pt-biserial : -0.19 -0.13 0.01 0.31 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 20 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 87 30 12 14 0 Ti le % : 60.8 21.0 8.4 9.8 Pt-biserial : 0.22 -0.20 0.06 -0.15 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 21 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 55 59 10 18 1 Ti le % : 38.7 41.5 7.0 12.7 Pt-biserial : -0.30 0.39 -0.15 -0.01 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 22 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 38 51 41 13 0 Ti le % : 26.6 35.7 28.7 9.1 Pt-biserial : -0.25 0.28 -0.07 0.04 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 23 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 26 34 41 40 2 Ti le % : 18.4 24.1 29.1 28.4 Pt-biserial : -0.06 0.03 0.12 -0.07 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 24 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 33 73 10 27 0 Ti le % : 23.1 51.0 7.0 18.9 Pt-biserial : -0.25 0.35 0.01 -0.18 Muc xacsuat : <.01 <.01 NS <.05 .......................................................................... *** Cau so : 25 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 27 12 7 97 0 Ti le % : 18.9 8.4 4.9 67.8 Pt-biserial : 0.33 -0.00 -0.07 -0.24 Muc xacsuat : <.01 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 26 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 53 51 12 27 0 Ti le % : 37.1 35.7 8.4 18.9 Pt-biserial : -0.07 0.18 -0.13 -0.05 Muc xacsuat : NS <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 27 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 11 36 41 55 0 Ti le % : 7.7 25.2 28.7 38.5 Pt-biserial : -0.21 -0.09 -0.12 0.31 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 28 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 3 5 7 128 0 Ti le % : 2.1 3.5 4.9 89.5 Pt-biserial : -0.18 -0.10 -0.09 0.20 Muc xacsuat : <.05 NS NS <.05 ........................................................................... *** Cau so : 29 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 52 6 80 5 0 Ti le % : 36.4 4.2 55.9 3.5 Pt-biserial : -0.31 -0.14 0.41 -0.14 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 NS ........................................................................... *** Cau so : 30 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 60 41 21 21 0 Ti le % : 42.0 28.7 14.7 14.7 Pt-biserial : 0.44 -0.20 -0.20 -0.16 Muc xacsuat : <.01 <.05 <.05 NS ........................................................................... *** Cau so : 31 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 52 31 33 27 0 Ti le % : 36.4 21.7 23.1 18.9 Pt-biserial : -0.09 0.45 -0.25 -0.10 Muc xacsuat : NS <.01 <.01 NS ........................................................................... *** Cau so : 32 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 12 9 99 22 1 Ti le % : 8.5 6.3 69.7 15.5 Pt-biserial : -0.16 -0.18 0.41 -0.25 Muc xacsuat : NS <.05 <.01 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 33 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 38 60 34 11 0 Ti le % : 26.6 42.0 23.8 7.7 Pt-biserial : 0.10 -0.11 0.08 -0.10 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 34 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 14 13 12 104 0 Ti le % : 9.8 9.1 8.4 72.7 Pt-biserial : -0.05 -0.10 -0.19 0.22 Muc xacsuat : NS NS <.05 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 35 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 14 78 20 30 1 Ti le % : 9.9 54.9 14.1 21.1 Pt-biserial : -0.04 0.01 -0.14 0.13 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 36 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 75 14 42 12 0 Ti le % : 52.4 9.8 29.4 8.4 Pt-biserial : 0.31 -0.17 -0.15 -0.13 Muc xacsuat : <.01 <.05 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 37 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 52 31 14 46 0 Ti le % : 36.4 21.7 9.8 32.2 Pt-biserial : -0.10 -0.30 -0.07 0.41 Muc xacsuat : NS <.01 NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 38 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 54 29 27 32 1 Ti le % : 38.0 20.4 19.0 22.5 Pt-biserial : 0.24 -0.00 -0.28 -0.01 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 NS ........................................................................... *** Cau so : 39 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 32 28 55 28 0 Ti le % : 22.4 19.6 38.5 19.6 Pt-biserial : 0.00 -0.09 -0.20 0.34 Muc xacsuat : NS NS <.05 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 40 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 33 21 48 41 0 Ti le % : 23.1 14.7 33.6 28.7 Pt-biserial : -0.12 0.11 0.04 -0.02 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 41 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 18 61 27 37 0 Ti le % : 12.6 42.7 18.9 25.9 Pt-biserial : -0.19 0.35 -0.14 -0.13 Muc xacsuat : <.05 <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 42 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 62 33 21 27 0 Ti le % : 43.4 23.1 14.7 18.9 Pt-biserial : -0.04 0.16 0.05 -0.16 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 43 Lua chon A B C D* Missing Tan so : 25 28 16 74 0 Ti le % : 17.5 19.6 11.2 51.7 Pt-biserial : -0.16 -0.10 -0.12 0.27 Muc xacsuat : NS NS NS <.01 ........................................................................... *** Cau so : 44 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 66 35 19 22 1 Ti le % : 46.5 24.6 13.4 15.5 Pt-biserial : 0.24 -0.11 -0.07 -0.13 Muc xacsuat : <.01 NS NS NS ........................................................................... *** Cau so : 45 Lua chon A B C* D Missing Tan so : 61 21 35 25 1 Ti le % : 43.0 14.8 24.6 17.6 Pt-biserial : -0.22 -0.06 0.53 -0.25 Muc xacsuat : <.01 NS <.01 <.01 ........................................................................... *** Cau so : 46 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 21 57 41 23 1 Ti le % : 14.8 40.1 28.9 16.2 Pt-biserial : -0.19 0.27 -0.17 0.04 Muc xacsuat : <.05 <.01 <.05 NS .......................................................................... *** Cau so : 47 Lua chon A B* C D Missing Tan so : 34 74 17 17 1 Ti le % : 23.9 52.1 12.0 12.0 Pt-biserial : -0.16 0.22 -0.05 -0.09 Muc xacsuat : NS <.01 NS NS ........................................................................... *** Cau so : 48 Lua chon A* B C D Missing Tan so : 52 60 21 10 0 Ti le % : 36.4 42.0 14.7 7.0 Pt-biserial : 0.07 0.05 -0.09 -0.11 Muc xacsuat : NS NS NS NS ........................................................................... *** HET **** ._.